Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements

A. S. Benediktov; N. A. Shelepin; P. V. Ignatov; A. A. Mikhailov; A. G. Potupchik

doi:10.1134/S1063739718030022

Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements

Авторы: Benediktov A.S.¹, Shelepin N.A.¹, Ignatov P.V.¹, Mikhailov A.A.¹, Potupchik A.G.¹
Учреждения:
1. Molecular Electronics Research Institute (MERI)
Выпуск: Том 47, № 3 (2018)
Страницы: 197-200
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/186831
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739718030022
ID: 186831

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The static and dynamic characteristics of SOI CMOS inverters are investigated in the temperature range from–60 to 250°С. The experimental dependences of the dynamic and static currents, as well as the delay of the logic gate (inverter), on temperature are obtained. Based on these characteristics, the operability of SOI CMOS logic gates at high temperatures is estimated.