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Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print) ISSN 1608-3415 (Online)
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Palavras-chave ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
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Informaçao sobre o Autor

Ignatov, P. V.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 47, Nº 3 (2018) Article Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
Volume 47, Nº 3 (2018) Article Experimental Evaluation of Reliability of Deep Submicron SOI MOS Transistors at High Temperatures
Volume 47, Nº 5 (2018) Article Reliability Investigation of 0.18-μm SOI MOS Transistors at High Temperatures
 

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