№ 2 (2024)
Статьи
Комплексное модифицирование поверхностного слоя высокоэнтропийного сплава Al–Cr–Fe–Co–Ni электронно-ионно-плазменной обработкой
Аннотация
Используя технологию проволочно-дугового аддитивного производства (WAAM – wire arc additive manufacture), был изготовлен высокоэнтропийный сплав неэквиатомного состава Al, Cr, Fe, Co, Ni. Методами современного физического материаловедения выполнен анализ элементного и фазового состава, дефектной субструктуры, механических и трибологических свойств поверхностного слоя высокоэнтропийного сплава, сформированного в результате комплексного модифицирования, сочетающего напыление пленки (B + Cr) и облучение импульсным электронным пучком в среде аргона. В исходном состоянии сплав имеет простую кубическую решетку с параметром решетки 0.28795 нм, средний размер зерна высокоэнтропийного сплава составляет 12.3 мкм. Химические элементы (ат. %) 33.4 Al; 8.3 Сr, 17.1 Fe, 5.4 Co, 35.7 Ni, формирующие высокоэнтропийный сплав, распределены квазипериодически. Выявлен режим облучения (плотность энергии пучка электронов ES = 20 Дж/см2, длительность импульса – 200 мкс, число импульсов – 3 имп., частота – 0.3 с–1), позволяющий повысить микротвердость (почти в два раза) и износостойкость (более чем в пять раз), снизить коэффициент трения в 1.3 раза. Независимо от величины ES высокоэнтропийный сплав является однофазным материалом, имеет простую кубическую кристаллическую решетку. Высокоскоростная кристаллизация поверхностного слоя приводит к формированию субзеренной структуры (150–200) нм. Показано, что увеличение прочностных и трибологических свойств высокоэнтропийного сплава обусловлено существенным (в 4.5 раза) снижением среднего размера зерна, формированием частиц оксиборидов хрома и алюминия, внедрением атомов бора в кристаллическую решетку ВЭС.
Влияние термического воздействия на изменение химического состава поверхностных слоев титанового сплава, с напыленной пленкой углерода, после облучения ионами N+
Аннотация
Исследовалось влияние термического воздействия в условиях высокого вакуума на химический состав поверхностных слоев сплава ВТ6 с перемешанной имплантацией ионов N+ пленкой углерода. Показано, что в условиях термического воздействия изменение концентрационных профилей распределения элементов определяется процессами химического взаимодействия, при которых диффузия углерода и азота в более глубокие слои не происходит. Напротив, их концентрация уменьшается и это обусловлено процессами образования летучих соединений СО, СО2 или (СN)2 при термическом воздействии. Титан в поверхностном анализируемом слое находится в окисленном состоянии с различными степенями окисления. До глубины примерно 10 нм степень окисления титана составляет Ti4+ и Ti3+, а в переходной области пленки/подложка Ti2+.
Калориметрические и объемометрические исследования дислокаций при мартенситных превращениях в сплаве TiNi с памятью формы
Аннотация
В работе проведен углубленный анализ калориметрических и объемометрические данных для прямых, обратных и деформационных мартенситных превращений в наноструктурированном сплаве Ti49.3Ni50.7 с памятью формы. Образцы были получены холодной прокаткой с одновременным действием импульсного тока большой плотности. Применена новая методика обработки калориметрических спектров, с помощью которой впервые детально изучены стадийность и “кинетика” изменения теплосодержания, а также тепловые эффекты (энтальпия отдельных стадий) при прямых и обратных мартенситных превращениях, возникающих под действием температуры. Посредством обработки объемометрических данных, использования теоретических значений плотности дислокаций и элементов классической теории дислокаций показано, что в сплаве Ti49.3Ni50.7 с памятью формы, подвергнутом холодной плоской деформации (прокаткой), сопровождаемой воздействием импульсного тока, протекает деформационное мартенситное превращение. Эта трансформация приводит к положительному объемному эффекту (∆V/V ≈ 3 × 10–3), который в значительной мере может быть обусловлен дислокациями. Продемонстрировано, что возможные вклады дислокаций в энтальпию прямых и обратных мартенситных превращений в сплаве Ti49.3Ni50.7 могут и должны быть значительно ниже по абсолютной величине, но противоположными по знаку относительно наблюдаемой энтальпиии прямого и обратного мартенситного превращения в данном сплаве.
Взаимодействие атомов титана с поверхностью совершенных и дефектных углеродных нанотрубок
Аннотация
Диспергирование атомов металлов по поверхности 1D- и 2D-углеродных систем – наиболее доступный способ управления их свойствами, привлекательными для многих приложений в электронике, энергетике, катализе. В работе методами компьютерного моделирования из первых принципов, базирующимися на теории функционала электронной плотности, исследованы особенности взаимодействия атомов титана с поверхностью углеродных нанотрубок, вызванные присутствием на этих поверхностях структурных дефектов разного рода. Для исследования выбраны нанотрубки (7, 7) и (11, 0) с близкими диаметрами (≈1 нм), но с проводимостью разных типов: металлической и полупроводниковой соответственно. Изучали три вида дефектов: одиночную вакансию, двойную вакансию и топологический дефект. Рассматривали две возможные ориентации дефекта каждого вида относительно оси трубки. В основном использовали базис атомоподобных орбиталей (пакет SIESTA), а в некоторых тестовых расчетах также и базис плоских волн (пакет VASP). Вычислительные эксперименты показали, что энергия связи атомов Ti с бездефектной нанотрубкой всегда меньше, чем с дефектными, независимо от использованного приближения для обменно-корреляционного функционала (LDA или GGA). Значения энергии связи, предсказываемые в приближении LDA, заметно больше, чем в приближении GGA (до ~15% для трубки (7, 7), и до ~50% для трубки (11, 0)). Самая сильная связь возникает при адсорбции титана на нанотрубке с одиночной вакансией; возникающую конфигурацию можно рассматривать как дефект замещения одного атома углерода атомом титана.
Энергетические барьеры для перемагничивания атомных цепочек из Co на поверхности Pt(664) с учетом взаимодействия Дзялошинского–Мория
Аннотация
В рамках непрерывной XY-модели получены аналитические выражения, позволяющие вычислять время спонтанного перемагничивания атомных цепочек конечной длины на поверхности металла. Взаимодействие магнитных моментов атомов описано классическим гамильтонианом, включающим в себя обменное взаимодействие Гейзенберга, взаимодействие Дзялошинского–Мория и энергию магнитной анизотропии. На примере системы Co/Pt(664) показано, что предложенный метод дает хорошее согласие с результатами численного моделирования в пределе коротких и длинных атомных цепочек. А для атомных цепочек промежуточной длины его можно использовать для получения ограничения сверху на время спонтанного перемагничивания. Получены зависимости времени спонтанного перемагничивания цепочек конечной длины из атомов Co от величины обменного интеграла, параметров, характеризующих магнитную анизотропию, а также от величины проекции вектора Дзялошинского на ось, перпендикулярную плоскости, в которой лежат магнитные моменты атомов. Показано, что предложенный метод имеет широкую область применения как по температуре, так и по значениям физических параметров, характеризующих магнитные свойства атомных цепочек. Таким образом, он может быть использован не только для системы Co/Pt(664), но и для других похожих систем.
Зависимость параметров роста атомных цепочек от характера изменения температуры подложки
Аннотация
Исследованы рост и эволюция одномерных наноструктур на металлических ступенчатых поверхностях кинетическим методом Монте-Карло. Показано, что при нагреве и охлаждении подложки распределение длин наноцепочек изменяется по-разному. Описаны закономерности, связывающие характер изменения распределения длин и относительные величины диффузионных барьеров для адатомов на поверхности, что позволит предсказать распределение длин, образующихся одномерных наноструктур.
Моделирование диффузии атома меди на графене методом молекулярной динамики
Аннотация
Приведены результаты исследования влияния геометрических и термодинамических параметров термического испарения и осаждения меди на графен, лежащий на поверхности Cu(111), на адсорбцию атомов меди, а также их поверхностную диффузию. Моделирование проводилось методом классической молекулярной динамики с использованием цепочек термостатов Нозе–Гувера. Межатомные взаимодействия определяли с использованием потенциалов Терсоффа–Бреннера, Росато–Жиллопа–Легранда и модифицированного потенциала Морзе. Сформулирован и протестирован простой критерий термализации адатомов на графене, лежащем на поверхности Cu(111). Исследованы средняя длина и среднее время свободного пробега атома меди до и после термализации при низкой (7 К) и комнатной температурах графена для двух температур испарения. Найдена вероятность адсорбции атома меди. Построены распределения по направлениям движения адатомов при равновесной диффузии. Показано, что распределения длины и времени свободного пробега имеют экспоненциальный вид. Исследовано влияние подложки Cu(111) на диффузию атома Cu на графене. Полученные результаты могут быть использованы для моделирования роста нанокластеров меди на графене кинетическим методом Монте-Карло.
Влияние температуры на величину межслоевого обменного взаимодействия в гетероструктуре Co/Pd/Co
Аннотация
С использованием керр-микроскопии исследован процесс перемагничивания гетероструктуры Co(0.4 нм)/Pd(6 нм)/Co(0.4 нм) в диапазоне температур 15–300 К. Получена температурная зависимость поля зарождения доменов в намагниченном до насыщения образце. Показано, что поле зарождения в обоих ферромагнитных слоях монотонно убывает с ростом температуры. Обнаружена область неустойчивых температур 160–174 К, ниже которых сквозные домены новой фазы зарождаются одновременно в обоих слоях, тогда как в указанной области домены также одновременно зарождаются в разных слоях, но в разных местах образца. Получена температурная зависимость эффективного поля HJ межслоевого обменного взаимодействия, которое увеличивает или уменьшает давление на доменную границу в зависимости от того, суммируется ли это поле с внешним полем или вычитается из него.
Влияние постоянного магнитного поля на параметры магнитопластического эффекта в алюминиевом сплаве В95пч
Аннотация
Проведено комплексное экспериментальное исследование магнитопластического эффекта, который обнаружен в алюминиевом сплаве В95пч, состаренном в слабом постоянном магнитном поле. Получены данные о химическом составе алюминиевого сплава В95пч, режимах термической и термомагнитной обработок и основных экспериментально наблюдаемых закономерностях изменений значений микротвердости, модуля упругости отдельных локальных областей и фазового состава алюминиевого сплава В95пч, состаренного при температуре 140°С, времени отжига от 2 до 8 ч, в постоянном магнитном поле напряженностью 557.0 кА/м и в его отсутствии. Установлено, что постоянное магнитное поле в значительной мере влияет на прочностные свойства и структуру алюминиевого сплава В95пч. Обнаружен отрицательный магнитопластический эффект, величина которого составляет 21%. При этом наблюдается, что постоянное магнитное поле не оказывает существенного влияния на средний размер зерна, однако размер и количество наблюдаемых инородных включений внутри зерна становится значительно меньше по сравнению со старением в отсутствии магнитного поля. Кроме этого, наложение постоянного магнитного поля на процесс фазообразования приводит к формированию более искаженной структуры: полуширина дифракционных линий становятся шире. Обнаружена корреляции результатов измерения микротвердости и модуля упругости алюминиевого сплава В95пч.
К теории рентгеновской дифракционной томографии кристаллов с наноразмерными дефектами
Аннотация
Рентгеновская дифракционная томография – инновационный метод, который широко применяют для получения двумерных фаза-контрастных дифракционных изображений и последующей трехмерной реконструкции структурных дефектов в кристаллах. Наиболее частыми объектами исследования являются линейные и винтовые дислокации в кристалле. В этом случае наиболее информативными являются плоско волновые дифракционные изображения, поскольку они не содержат дополнительные интерференционные артефакты, не связанные с изображениями самих дефектов. В работе представлены результаты моделирования и анализа двумерных плосковолновых дифракционных изображений нанодефекта кулоновского типа в тонком кристалле Si(111) на основе построения численных решений динамических уравнений Такаги–Топена. Использовано адаптированное физическое выражение для поля упругих смещений точечного дефекта, исключающее сингулярность в точке расположения дефекта в кристалле. Предложен и применен в расчетах критерий, позволяющий оценить точность численных решений уравнений Такаги–Топена. Показано, что в случае поля упругих смещений дефекта кулоновского типа из двух разностных алгоритмов для решения уравнений Такаги–Топена, используемых при их численном решении, только алгоритм решения уравнений Такаги–Топена, в которых функция поля смещений входит в экспоненциальной форме, является приемлемым с точки зрения необходимой точности и длительности расчетов.
Анализ структуры композита Nb5Si3/NBC/NbSi2 методами электронной микроскопии
Аннотация
Методом алюминотермического самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получен композиционный материал на основе Nb–Si–C. Исследование данной системы представляет интерес с точки зрения получения высокотемпературных материалов нового поколения для газотурбинного моторостроения, способных заменить жаропрочные никелевые сплавы, а также потенциальной возможности формирования МАХ-фаз (фазы Mn + 1AXn, где n = 1, 2, 3, …; M – переходный d-металл; A – p-элемент; X – углерод). Полученный композит Nb–Si–C исследован методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального анализа. Показано, что в образце формируются карбид NbC и силициды γ-Nb5Si3 и NbSi2. Выполнен детальный анализ морфологического распределения составляющих фаз.
Манганитные гетероструктуры: SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 и Pt/La0.7Sr0.3MnO3 для возбуждения и регистрации спинового тока
Аннотация
Представлены результаты экспериментальных исследований поперечного сечения границ гетероструктур SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 и Pt/La0.7Sr0.3MnO3, в которых при возбуждении ферромагнитного резонанса в пленке La0.7Sr0.3MnO3 возникает спиновой ток, протекающий через границу в структуре. Эпитаксиальный рост тонких пленок иридата стронция SrIrO3 и манганита La0.7Sr0.3MnO3 на монокристаллической подложке (110)NdGaO3 осуществлялся с помощью магнетронного распыления при высокой температуре в смеси газов аргона и кислорода. Спиновая проводимость границы, определяющая амплитуду спинового тока, в общем случае имеющей действительную и мнимую части определялась из частотной зависимости спектра ферромагнитного резонанса пленки La0.7Sr0.3MnO3 и гетероструктур. Показано, что величина мнимой части спиновой проводимости может играть важную роль при определении спинового угла Холла. Для гетероструктур SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 спиновой угол Холла оказался существенно выше (почти на порядок), чем для гетероструктуры Pt/La0.7Sr0.3MnO3.
Подготовка экспериментов по выращиванию кристаллов теллурида цинка–кадмия в условиях микрогравитации
Аннотация
Кристаллы Cd1–xZnxTe необходимы для производства детекторов ионизирующих излучений, широко применяемых в науке, технике, медицине и других областях. В процессе выращивания кристаллов, вследствие напряжений при кристаллизации, возникают ростовые дислокации, образуются малоугловые границы. Типичной проблемой при выращивании из расплава кристаллов тройных соединений Cd–Zn–Te является наличие включений теллура, снижающих эффективность работы детекторов. Условия микрогравитации предоставляют уникальные возможности для выращивания высококачественных кристаллов за счет отсутствия конвекции, более равновесного перемешивания расплава, уменьшения внутренних напряжений. Поскольку свойства таких кристаллов сильно зависят от условий получения, требуются затравки и питающий слиток с заданными составами и структурой. Для проведения космического эксперимента подготовлены ампулы с материалами двух составов. Получены кристаллы для загрузок двух составов Cd0.96Zn0.04Te и Cd0.9Zn0.1Te, состоящие из ориентированной затравки, растворителя и питающего слитка, однофазные, монокристаллические, выбранной ориентации, с малой плотностью дислокаций, отвечающие необходимым требованиям для выращивания кристаллов CZT в условиях микрогравитации. Ампулы с материалами отправлены на МКС для выращивания в условиях микрогравитации на ростовом оборудовании, уже установленном в модуле “Наука”.
Эффект дальнодействия при модификации приповерхностных слоев образцов WC–Co импульсным ионным пучком
Аннотация
Представлены результаты модификации образцов WC–Co импульсным пучком ионов азота (200–300 кэВ, 120 нс) с плотностью энергии 7–8 Дж/см2. Показано, что изменение структуры происходит в приповерхностном слое толщиной 20–30 мкм, что значительно превышает пробег ионов в мишени (≈0.5 мкм) и глубину распространения теплового фронта в течение импульса (≈1 мкм). Выполнен анализ различных механизмов эффекта дальнодействия: формирование ударной волны, генерация первичных радиационных дефектов и др. Показано, что эффект дальнодействия связан с перезарядкой ионов и формированием быстрых атомов. Выполнено моделирование перезарядки ионов в газовом слое десорбированных молекул. Получено, что вероятность перезарядки иона азота в процессах N+ + N2 → N0 и N+ + O2 → N0 значительно превышает 100%, что говорит о неучтенном при расчетах влиянии облучения атомами. В отличие от ионов, при облучении мишени атомами эффективность формирования радиационных дефектов значительно выше.
Исследование влияния дефокусировки на интерференционных картинах, полученных в рентгеновских трехблочных интерферометрах
Аннотация
Представлены результаты исследования влияния дефокусировки на интерференционных картинах, полученных в рентгеновских трехблочных интерферометрах. Сконструированы, изготовлены и опробованы трехблочные дефокусированные интерферометры без толстого блок-анализатора, с толстым блок-анализатором и с отдельным толстым блоком (увеличителем). Показано, что тонкие структуры интерференционных картин, полученные от трехблочных дефокусированных интерферометров, наблюдаются в тех случаях, когда блок-анализатор интерферометра толстый или применяется увеличитель (четвертый толстый блок). В ходе теоретических расчетов показано, что при наличии дефокусировки в результате наложения пучков на входной поверхности анализатора интерферометра формируется интерференционная картина в виде параллельных полос (линий), лежащих в плоскости рассеяния. Вычислены координаты максимумов интерференционных полос (линий) и период полос в случаях без толстого кристалла и при его наличии, а также собственный коэффициент увеличения. Экспериментально доказано, что толстый кристалл (кристалл-увеличитель) новой информации в интерференционную картину не вносит, а только увеличивает ее размеры в плоскости рассеяния.
Квантовый размерный эффект блоховских волновых функций электронов сверхвысокой энергии в тонкой монокристаллической пленке
Аннотация
Проведен расчет коэффициента отражения электронов сверхвысокой энергии (~1 МэВ) при их нормальном падении на тонкую монокристаллическую пленку. Показано, что и при столь высоких энергиях частиц заметно проявляется квантовый размерный эффект у сформировавшихся в пленке блоховских волн. Установлено, что при определенной энергии электронов возникают узкие брэгговские пики. Приведена формула, определяющая их положение и интенсивность на кривые отражения. Проведено сравнение коэффициентов отражения при средних, высоких и сверхвысоких энергиях частиц.