🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 12, № 5 (2018)
Modification of Zinc-Implanted Silicon by Swift Xenon Ion Irradiation
Privezentsev V., Skuratov V., Kulikauskas V., Makunin A., Ksenich S., Steinman E., Tereshchenko A., Goryachev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 2 (2017)
On the synthesis of nanoscale phases of metal silicides in the near-surface region of silicon and the study of their electronic structures by passing light
Ergashov Y., Tashmukhamedova D., Umirzakov B.
PDF
(Eng)
Том 13, № 4 (2019)
On the Phase Transformations and Field-Emission Properties of Diamond and Graphite Structures upon the Ion Implantation of Nitrogen
Yafarov R., Smirnov A., Yafarov A.
PDF
(Eng)
Том 12, № 5 (2018)
Influence of Preliminary Irradiation by a High Heat Flux on the Re-emission and Thermal Desorption of Deuterium Implanted from Reduced Activation Steels
Ryabtsev S., Gasparyan Y., Ogorodnikova O., Harutyunyan Z., Klimov N., Poskakalov A., Pisarev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 4 (2017)
Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films
Brinkevich D., Kharchenko A., Brinkevich S., Lukashevich M., Odzhaev V., Valeev V., Nuzhdin V., Khaibullin R.
PDF
(Eng)
Том 11, № 3 (2017)
Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted silicon
Privezentsev V., Kulikauskas V., Zatekin V., Shcherbachev K., Tabachkova N., Eidelman K., Ksenich S., Batrakov A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 2 (2017)
Investigation of an ion-implanted semiconductor layer by X-ray fluorescence analysis and ellipsometry
Kalmykov S.
PDF
(Eng)
Том 13, № 6 (2019)
Microstructured Substrates for Counting Bacteria Formed by Ion Implantation Through a Mask
Evtyugin V., Rogov A., Valeeva L., Salnikov V., Osin Y., Valeev V., Nuzhdin V., Stepanov A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 4 (2017)
Application of ion implantation for the modification of silicon-on-sapphire epitaxial systems, their structure, and properties
Aleksandrov P., Demakov K., Shemardov S., Belova N.
PDF
(Eng)
Том 12, № 2 (2018)
Influence of Zn+-Ion Implantation on the Process of Sapphire Charging by an Electron Beam
Tatarintsev A., Privezentsev V., Rau E., Goryachev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 4 (2017)
On the creation of ordered nuclei by ion bombardment for obtaining nanoscale si structures on the surface of CaF2 films
Umirzakov B., Donaev S.
PDF
(Eng)
Том 10, № 2 (2016)
Modification of YBa2Cu3O7–δ thin films by ion implantation
Vasiliev V., Korolev D., Korolev S., Masterov D., Mikhaylov A., Okhapkin A., Pavlov S., Parafin A., Yunin P., Skorokhodov E., Tetelbaum D.
PDF
(Eng)
Том 12, № 4 (2018)
Hydrogen-Permeability of Titanium-Nitride (TiN) Coatings Obtained via the Plasma-Immersion Ion Implantation of Titanium and TiN Vacuum-Arc Deposition on Zr−1%Nb Alloy
Zhang L., Nikitenkov N., Sutygina A., Kashkarov E., Sypchenko V., Babihina M.
PDF
(Eng)
Том 12, № 1 (2018)
Ion-Beam Synthesis of Ferromagnetic Films by the Implantation of Co+ Ions into Silicon
Chirkov V., Gumarov G., Petukhov V., Denisov A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 1 (2017)
Formation of thin oxide layer on surface of copper caused by implantation of high-energy oxygen ions
Khaydukov Y., Soltwedel O., Marchenko Y., Khaidukova D., Csik A., Acartürk T., Starke U., Keller T., Guglya A., Kazdayev K.
PDF
(Eng)
Том 10, № 2 (2016)
Chemical composition and atomic structure of the surface of copper–manganese alloy modified with oxygen ions
Surnin D., Vorob’ev V., Gilmutdinov F., Mukhgalin V., Bakieva O., Kolotov A., Vetoshkin V.
PDF
(Eng)
Том 12, № 4 (2018)
Composition and Structure of a Nanofilm Multilayer System of the SiO2/Si/CoSi2/Si(111) Type Obtained via Ion Implantation
Ergashov Y., Umirzakov B.
PDF
(Eng)
Том 12, № 3 (2018)
Influence of Plasma-Immersion Titanium-Ion Implantation on the Kinetics of Hydrogen Penetration into E110 Zirconium Alloy
Kashkarov E., Nikitenkov N., Sutygina A., Syrtanov M., Zakharchenko S., Obrosov A.
PDF
(Eng)
Том 10, № 3 (2016)
Formation of nanoparticles containing zinc in Si(001) by ion-beam implantation and subsequent annealing
Eidelman K., Shcherbachev K., Tabachkova N., Privezentsev V.
PDF
(Eng)
Том 13, № 3 (2019)
Study of a SiO2/Si Structure Implanted with 64Zn+ and 16O+ Ions and Heat Treated in a Neutral Inert Environment
Privezentsev V., Kulikauskas V., Zatekin V., Zinenko V., Agafonov Y., Egorov V., Steinman E., Tereshchenko A., Shcherbachev K.
PDF
(Eng)
Том 10, № 6 (2016)
Emission and optical properties of SiO2/Si thin films
Tashmukhamedova D., Yusupjanova M.
PDF
(Eng)
1 - 21 из 21 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».