Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 13, № 6 (2019)
Dependence of the Kinetics of Radiation-Induced Defect Formation on the Energy Absorbed by Si and SiC when Exposed to Fast Charged Particles
Kozlovski V., Vasil’ev A., Emtsev V., Oganesyan G., Lebedev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 5 (2017)
Evolution of surface morphology during the growth of amorphous and polycrystalline silicon films
Novak A., Novak V., Smirnov D.
PDF
(Eng)
Том 10, № 4 (2016)
Effect of recoil atoms on radiation-defect formation in semiconductors under 1–10-MeV proton irradiation
Kozlovski V., Vasil’ev A., Lebedev A.
PDF
(Eng)
Том 13, № 2 (2019)
Study of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization
Gusev A., Kargin N., Ryndya S., Safaraliev G., Siglovaya N., Sultanov A., Timofeev A.
PDF
(Eng)
Том 13, № 2 (2019)
Sputtering of Silicon Single Crystals under Irradiation with a Helium and Argon Ion Beam with an Average Energy of 1 keV
Volkov N., Safonov D.
PDF
(Eng)
Том 11, № 6 (2017)
Formation of Films of Tungsten and its Oxides in a High-Frequency Capacitive Discharge in a D2-O2 Mixture
Gorodetsky A., Zalavutdinov R., Bukhovets V., Markin A., Zakharov A., Zolotarevsky V., Voytitsky V., Rybkina T., Kazansky L., Arkhipushkin I., Mukhin E., Razdobarin A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 1 (2017)
Study of the features of BaF2 heteroepitaxy on CaF2/Si(100) layers obtained in the high-temperature growth mode
Filimonova N., Ilyushin V., Velichko A.
PDF
(Eng)
Том 13, № 6 (2019)
Features of Degradation of the Optical Properties of Hollow Particles TiO2, ZnO, and SiO2 under the Influence of Ionizing Radiations
Neshchimenko V., Mikhailov M.
PDF
(Eng)
Том 13, № 1 (2019)
Role of the Carbon Sublattice in n-SiС Conductivity Compensation
Kozlovski V., Vasil’ev A., Davidovskaya K., Lebedev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 5 (2017)
Profile, morphology and surface elemental composition of through micro-holes in silicon wafers
Zhukov A., Zabotin Y., Podgorodetsky S., Anurov A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 1 (2017)
Investigation of stacking faults introduced into 4H-SiC crystals by indentation
Orlov V., Yakimov E.
PDF
(Eng)
Том 12, № 6 (2018)
Structure and Phase Composition of Multilayer AlN/SiN Films Irradiated with Helium Ions
Uglov V., Shymanski V., Korenevski E., Remnev G., Kvasov N.
PDF
(Eng)
Том 10, № 5 (2016)
Analysis of the oscillation intensity of RHEED specular reflection during the MBE growth of CaF2/Si/CaF2 structures
Velichko A., Ilyushin V., Krupin A., Gavrilenko V., Filimonova N.
PDF
(Eng)
Том 13, № 4 (2019)
Computer Analysis of AFM Images of a Silicon Surface Implanted with Zinc Ions and Oxidized at Elevated Temperatures
Sokolov V., Razgulina O., Privezentsev V., Ksenich S.
PDF
(Eng)
Том 12, № 5 (2018)
Influence of a Carbon-Modified Surface on the Field-Emission Properties of Silicon Crystals
Yafarov R., Smirnov A., Yafarov A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 5 (2017)
Radiation resistance of 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9-MeV electrons
Lebedev A., Davydovskaya K., Strelchuk A., Kozlovski V.
PDF
(Eng)
Том 10, № 4 (2016)
Kinetics of the formation of pores and a change in the properties of materials in numerical models
Zmievskaya G., Bondareva A.
PDF
(Eng)
Том 13, № 3 (2019)
Preparation, Structure, and Mechanical Properties of a Mo–Si–B Layered Composite
Kiiko V., Korzhov V.
PDF
(Eng)
Том 12, № 5 (2018)
Modification of Zinc-Implanted Silicon by Swift Xenon Ion Irradiation
Privezentsev V., Skuratov V., Kulikauskas V., Makunin A., Ksenich S., Steinman E., Tereshchenko A., Goryachev A.
PDF
(Eng)
Том 11, № 4 (2017)
Molecular dynamics simulation of the penetration of silicon by hypersonic waves generated in native silicon oxide under irradiation
Stepanov A., Tetelbaum D.
PDF
(Eng)
Том 12, № 4 (2018)
Investigation of the Morphology and Structure of Porous Hybrid 3D Scaffolds Based on Polycaprolactone Involving Silicate-Containing Hydroxyapatite
Gorodzha S., Surmeneva M., Selezneva I., Ermakov A., Zaitsev V., Surmenev R.
PDF
(Eng)
Том 11, № 3 (2017)
Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted silicon
Privezentsev V., Kulikauskas V., Zatekin V., Shcherbachev K., Tabachkova N., Eidelman K., Ksenich S., Batrakov A.
PDF
(Eng)
Том 10, № 3 (2016)
Effect of low-energy X-ray radiation on the electrophysical properties of silicon crystals of n- and p-type conductivity
Steblenko L., Podolyan A., Nadtochiy A., Kuryliuk A., Kalinichenko D., Kobzar Y., Krit A., Naumenko S.
PDF
(Eng)
Том 13, № 2 (2019)
Thermodynamic Analysis of Interface-Interaction Processes in a Silicon/Silicon Carbide Structure during Electron-Beam Treatment
Gusev E., Avdeev S., Ageev O.
PDF
(Eng)
Том 12, № 3 (2018)
Effect of Radiation-Induced Defects Produced by Low-Energy Protons in a Heavily Doped Layer on the Characteristics of n+‒p‒p+ Si Structures
Agafonov Y., Bogatov N., Grigorian L., Zinenko V., Kovalenko A., Kovalenko M., Kolokolov F.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 29 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».