Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В работе представлены результаты применения водородной ЭЦР плазмы в технологии микроэлектроники. Продемонстрировано ее влияние на радиационную стойкость ИС и на качество омического контакта при формировании UBM металлизации. Проведен анализ устройств, полученных с применением ЭЦР плазмы и без нее.

Об авторах

Е. А. Полушкин

АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”, ; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук

Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 124460, Москва, Зеленоград, ул. Академика Валиева, 6/1; Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6

С. В. Нефедьев

АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”,

Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 124460, Москва, Зеленоград, ул. Академика Валиева, 6/1

А. В. Ковальчук

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем
технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук

Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6

О. А. Солтанович

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем
технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук

Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6

С. Ю. Шаповал

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем
технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6

Список литературы

  1. Herring C. Energy levels of isolated interstitial h-ydrogen in silicon / C. Herring, N.M. Johnson, C.G. Van De Walle // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2001. V. 64. № 12. P. 1252091–12520927. EDN XOOMMJhttps://doi.org/10.1103/physrevb.64.125209
  2. Influence of diffusion hydrogen on the radiation hardness of silicon devices / E.A. Polushkin, A.V. Kovalchuk, O.A. Soltanovich [et al.] // Proceedings of SPIE V. 12157, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, 1215711 (2022). EDN MBGAEWhttps://doi.org/10.1117/12.2624184
  3. Гольцов В.А. Фундаментальные основы водородной обработки материалов / В.А. Гольцов // Письма в международный научный журнал “Альтернативная энергетика и экология”. 2014. № 2(2). С. 31–33. EDN RYPZWV.
  4. Popov O.A. 2.45 GHz microwave plasmas at magnetic fields below ECR / O.A. Popov, S.Y. Shapoval, M.D. Yoder // Plasma Sources Science and Technology. 1992. V. 1. № 1. P. 7–12. EDN VECNSXhttps://doi.org/10.1088/0963-0252/1/1/002
  5. Темирбулатов М.С. Космическая программа и радиационная стойкость современных интегральных микросхем / М.С. Темирбулатов, В.И. Эннс // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2015. № 2(158). С. 76–88..
  6. Змеев С.В. Коммутация кристаллов припойными шариками в микросистемах 2,5D- и 3D-сборок / С.В. Змеев // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 434–437. EDN UKVTNKhttps://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.434.437

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (110KB)
3.

Скачать (115KB)
4.

Скачать (197KB)

© Е.А. Полушкин, С.В. Нефедьев, А.В. Ковальчук, О.А. Солтанович, С.Ю. Шаповал, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах