Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники
- Авторы: Полушкин Е.А.1,2, Нефедьев С.В.1, Ковальчук А.В.3, Солтанович О.А.3, Шаповал С.Ю.3
-
Учреждения:
- АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
- Выпуск: Том 52, № 3 (2023)
- Страницы: 236-239
- Раздел: ТЕХНОЛОГИИ
- URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/138573
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126923700321
- EDN: https://elibrary.ru/UECTWT
- ID: 138573
Цитировать
Аннотация
В работе представлены результаты применения водородной ЭЦР плазмы в технологии микроэлектроники. Продемонстрировано ее влияние на радиационную стойкость ИС и на качество омического контакта при формировании UBM металлизации. Проведен анализ устройств, полученных с применением ЭЦР плазмы и без нее.
Ключевые слова
Об авторах
Е. А. Полушкин
АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”, ; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
ул. Академика Валиева, 6/1; Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6
С. В. Нефедьев
АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”,
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
ул. Академика Валиева, 6/1
А. В. Ковальчук
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблемтехнологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6
О. А. Солтанович
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблемтехнологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6
С. Ю. Шаповал
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблемтехнологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: epolushkin@niime.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 6
Список литературы
- Herring C. Energy levels of isolated interstitial h-ydrogen in silicon / C. Herring, N.M. Johnson, C.G. Van De Walle // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2001. V. 64. № 12. P. 1252091–12520927. EDN XOOMMJhttps://doi.org/10.1103/physrevb.64.125209
- Influence of diffusion hydrogen on the radiation hardness of silicon devices / E.A. Polushkin, A.V. Kovalchuk, O.A. Soltanovich [et al.] // Proceedings of SPIE V. 12157, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, 1215711 (2022). EDN MBGAEWhttps://doi.org/10.1117/12.2624184
- Гольцов В.А. Фундаментальные основы водородной обработки материалов / В.А. Гольцов // Письма в международный научный журнал “Альтернативная энергетика и экология”. 2014. № 2(2). С. 31–33. EDN RYPZWV.
- Popov O.A. 2.45 GHz microwave plasmas at magnetic fields below ECR / O.A. Popov, S.Y. Shapoval, M.D. Yoder // Plasma Sources Science and Technology. 1992. V. 1. № 1. P. 7–12. EDN VECNSXhttps://doi.org/10.1088/0963-0252/1/1/002
- Темирбулатов М.С. Космическая программа и радиационная стойкость современных интегральных микросхем / М.С. Темирбулатов, В.И. Эннс // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2015. № 2(158). С. 76–88..
- Змеев С.В. Коммутация кристаллов припойными шариками в микросистемах 2,5D- и 3D-сборок / С.В. Змеев // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 434–437. EDN UKVTNKhttps://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.434.437