Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута

В статье продолжен анализ результатов экспериментальных исследований резистивных переключений в структуре на основе микрокристалла (“чешуйки”) селенида висмута. Ранее с помощью моделирования было продемонстрировано, что как наличие у исследуемой структуры нескольких высокорезистивных состояний, так и особенности переходов в эти состояния, могут быть объяснены специфическим поведением многочисленных проводящих каналов, пронизывающих поверхностный высокоомный (дефектный) слой. Источниками зарождения этих каналов полагались нановыступы на прижимном управляющем серебряном электроде, внедренные в поверхностный слой. В данном исследовании показано, что дополнительными источниками каналов могут служить объемные неоднородности поверхностного слоя – нановключения, отличающиеся более высокой проводимостью. Сравнение результатов моделирования подтвердило, что поведение каналов, формирующихся вблизи таких неоднородностей, подобно поведению каналов, растущих от металлических нановыступов.