Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact

E. A. Kerimov; Керимов Э. А.

doi:10.31857/S0544126922030048

Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact

Авторлар: Kerimov E.¹
Мекемелер:
1. State Technical University
Шығарылым: Том 52, № 1 (2023)
Беттер: 68-70
Бөлім: ПРИБОРЫ
URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/138494
DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126922030048
EDN: https://elibrary.ru/CXXNWH
ID: 138494

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

A significant increase in the fill factor of Schottky matrices is achieved by reading the charge accu-mulated in the Schottky diode not by using charge-coupled device (CCD) registers but by injecting it into the signal bus, similarly to charge-injected device (CID) structures on narrow-gap semiconductors. In this case, the multielement matrix contains horizontal buses to poll the elements of the selected row, vertical signal lines, and a metal–oxide–semiconductor (MOS) switch for connecting the polled column and the matrix of photosensitive elements, each consisting of a photosensitive Schottky diode and a MOS switch.

Негізгі сөздер

Schottky barrier, iridium silicide, geometric noise, photosensitivity, Schottky matrices, annealing, diode structures

Авторлар туралы

E. Kerimov

State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: E_Kerimov.fizik@mail.ru
Baku, AZ 1073 Azerbaijan

Әдебиет тізімі

Курбатов J.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра // М.: изд. МФТИ, 1999. 320 с.
Справочник по инфракрасной технике (ред. Волф У., Цисис Г., перевод с англ. под ред. Мирошникова М.М., Васильченко H.B.). М.: “Мир”, 1999. 472 с.
Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Многоэлементные ИК-приемники на основе барьеров Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера // Оптический журн. 2008. № 8. С. 53–59.
Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора с барьером Шоттки, ИК-детектор и фотоприемная матрица, чувствительная к ИК-излучению: Пат. 2335823 Российской Федерации от 23.10.2006.