Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor - PDF (Russo)


Declaração de direitos autorais © Д. Цунваза, Р.В. Рыжук, И.С. Васильевский, Н.И. Каргин, В.А. Клоков, 2023

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).