Investigation of textured aluminum nitride films prepared by chemical vapor deposition


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Textured polycrystalline aluminum nitride films are grown on a silica substrate by chemical vapor deposition using metallic aluminum and ammonium chloride as the initial reagents. The good texture and crystal quality of the prepared films are confirmed by raster electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffraction.

Об авторах

A. Red’kin

Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials

Автор, ответственный за переписку.
Email: arcadii@iptm.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow region, 142432

M. Ryzhova

Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials

Email: arcadii@iptm.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow region, 142432

E. Yakimov

Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials

Email: arcadii@iptm.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow region, 142432

D. Roshchupkin

Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials

Email: arcadii@iptm.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow region, 142432

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).