Отправить статью по E-mail Investigation of the features of integrating nonvolatile FRAM elements with CMOS technology
- Авторы: Orlov O.M.1,2, Voronov D.D.3,2, Izmailov R.A.3,2, Krasnikov G.Y.1,2
-
Учреждения:
- OAO Mikron
- AO Research Institute of Molecular Electronics
- Moscow Physical-Technical Institute (Technical University)
- Выпуск: Том 46, № 5 (2017)
- Страницы: 353-358
- Раздел: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/186528
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739717050067
- ID: 186528
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
The results of the studies of the features of integrating the elements of nonvolatile ferroelectric random access memory (FRAM) with CMOS technology are presented. The possibility and prospects of using their nanosized layers in the elements of nonvolatile FRAM are demonstrated.
Об авторах
O. Orlov
OAO Mikron; AO Research Institute of Molecular Electronics
Автор, ответственный за переписку.
Email: oorlov@mikron.ru
Россия, Zelenograd, Moscow, 124460; Zelenograd, Moscow, 124460
D. Voronov
Moscow Physical-Technical Institute (Technical University); AO Research Institute of Molecular Electronics
Email: oorlov@mikron.ru
Россия, Dolgoprudnyi, Moscow, 141700; Zelenograd, Moscow, 124460
R. Izmailov
Moscow Physical-Technical Institute (Technical University); AO Research Institute of Molecular Electronics
Email: oorlov@mikron.ru
Россия, Dolgoprudnyi, Moscow, 141700; Zelenograd, Moscow, 124460
G. Krasnikov
OAO Mikron; AO Research Institute of Molecular Electronics
Email: oorlov@mikron.ru
Россия, Zelenograd, Moscow, 124460; Zelenograd, Moscow, 124460
Дополнительные файлы
