Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films

D. V. Ishchenko; I. G. Neizvestnyi; N. S. Pashchin; V. N. Sherstyakova

doi:10.1134/S1063739718040042

Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films

Авторлар: Ishchenko D.¹, Neizvestnyi I.¹, Pashchin N.¹, Sherstyakova V.¹
Мекемелер:
1. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
Шығарылым: Том 47, № 4 (2018)
Беттер: 221-225
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/186846
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739718040042
ID: 186846

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

This paper reports a study of the current–voltage (I–V) features of the p-i-p structures based on Pb_1–xSn_xTe:In films with the tin content х ≈ 0.31 in which the metal–insulator transition occurs. It is shown that the photocurrent is the hole current under light interband excitation, and electron trapping is dominant. The experimental and theoretical data are compared.