Effect of diamond dicing of SiC device wafers on the technical and operational parameters of monolithic integrated circuits


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

This paper is devoted to developing and optimizing the processing route that improves the effectiveness of diamond dicing of SiC device wafers with monolithic microwave integrated circuits (MMICs). The results of the experimental investigation of the diamond dicing effect on the MMIC parameters in the developed processing route are presented.

Авторлар туралы

S. Gamkrelidze

Institute of Ultra-High Frequency Semiconductor Electronics

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Ресей, Moscow, 117105

A. Trofimov

Institute of Ultra-High Frequency Semiconductor Electronics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: aa-trofimov@yandex.ru
Ресей, Moscow, 117105

N. Shchavruk

Institute of Ultra-High Frequency Semiconductor Electronics

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Ресей, Moscow, 117105

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017