Investigation of the properties and manufacturing features of nonvolatile FRAM memory based on atomic layer deposition

O. M. Orlov; A. M. Markeev; A. V. Zenkevich; A. G. Chernikova; M. V. Spiridonov; R. A. Izmaylov; E. S. Gornev

doi:10.1134/S1063739716040077

Investigation of the properties and manufacturing features of nonvolatile FRAM memory based on atomic layer deposition

Авторы: Orlov O.M.¹^,2, Markeev A.M.³, Zenkevich A.V.³, Chernikova A.G.³, Spiridonov M.V.³, Izmaylov R.A.³^,2, Gornev E.S.¹^,2
Учреждения:
1. JSC Mikron
2. SC Molecular Electronics Research Institute
3. Moscow Institute of Physics and Technology
Выпуск: Том 45, № 4 (2016)
Страницы: 262-269
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/185689
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739716040077
ID: 185689

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The structural and electrical properties of materials based on hafnium oxide grown by atomic layer deposition (ALD) are analyzed. The possibility and prospects of the use of their nanoscale films in nonvolatile memory are considered. The possibility of scaling Ferroelectric random access memory (FRAM) to subμm dimensions while preserving the ferroelectric properties is shown.