English
Русский
简体中文
Kazakh
Português (Brasil)
Беттің Тақырыбы
Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print) ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
  • Анықтамалық материалдар
    • Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
    • RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Makhviladze, T. M.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 45, № 4 (2016) Article Characteristics of the kinetics of periodic structures CMP for a nonlinear pressure dependence of the polishing rate
Том 47, № 1 (2018) Article Simulating the Effects of Internal Mechanical Stresses on the Decomposition Kinetics of a Supersaturated Oxygen Solution in Silicon
Том 47, № 5 (2018) Article The Model of the Process of the Chemical Mechanical Polishing of the Copper Metallization, Based on the Formation of the Passivation Layer
Том 48, № 6 (2019) Article Simulation of the Effect of the Grain Boundary Structure on Effective Ionic Charges in the Processes of Electromigration
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP