Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print)
ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Makhviladze, T. M.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 45, № 4 (2016)
Article
Characteristics of the kinetics of periodic structures CMP for a nonlinear pressure dependence of the polishing rate
Том 47, № 1 (2018)
Article
Simulating the Effects of Internal Mechanical Stresses on the Decomposition Kinetics of a Supersaturated Oxygen Solution in Silicon
Том 47, № 5 (2018)
Article
The Model of the Process of the Chemical Mechanical Polishing of the Copper Metallization, Based on the Formation of the Passivation Layer
Том 48, № 6 (2019)
Article
Simulation of the Effect of the Grain Boundary Structure on Effective Ionic Charges in the Processes of Electromigration
TOP