Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print)
ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Rogozhin, A. E.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 46, № 6 (2017)
Article
Electromagnetic Modeling, Technology, and Production of Microwave C
3
MOSHFET Switches on AlGaN/GaN Heterostructures
Том 47, № 1 (2018)
Article
Atomic Layer Deposition in the Production of a Gate HkMG Stack Structure with a Minimum Topological Size of 32 nm
Том 47, № 3 (2018)
Article
Dependence of the Resistance of the Negative e-Beam Resist HSQ Versus the Dose in the RIE and Wet Etching Processes
TOP