Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Приведены результаты электрических при комнатной температуре и автоэмиссионных измерений низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур с различным электронным обогащением слоев. Установлено, что с уменьшением толщины обедненного электронами углеродного слоя до величины сравнимой с длиной волны де Бройля за счет размерного квантования увеличивается прозрачность потенциальных барьеров, которые приводят к усилению выпрямляющих свойств низкоразмерных углеродных гетероструктур и, более чем на порядок увеличивают максимальные полевые токи катодных матриц на их основе.

作者简介

Р. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники
имени В.А. Котельникова РАН

编辑信件的主要联系方式.
Email: pirpc@yandex.ru
Россия, Саратов

Н. Шабунин

Саратовский национальный исследовательский государственный
университет имени Н.Г. Чернышевского

Email: pirpc@yandex.ru
Россия, Саратов

参考

  1. Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., Яфясов А.М., Павлов Б.С., Божевольнов В.Б. Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. С. 71‒77.
  2. Усанов Д.А., Яфаров Р.К. Методы получения и исследования самоорганизующихся наноструктур на основе кремния и углерода // Учеб.-метод. пособие для студентов фак. нано- и биомед. технологий. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2011. 124 с.
  3. Давидович М.В., Яфаров Р.К. Автоэмиссионная шахматная структура на основе алмазографитовых кластеров // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 6. С. 283–293.
  4. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В. Влияние электропроводности углеродных пленочных нанокомпозитов на автоэмиссионные характеристики планарно-торцевых источников электронов // Радиотехника. 2019 № 7(10). С. 45–51.
  5. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В., Сторублев А.В. Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов. // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. 2021. Т. 20. Вып. 1. С. 69–89.
  6. Mori T., Hamaguchi C., Shibatomi A. Hot electron effect in short n+ – n – n+ GaAs structures // Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 2. P. 212–215.
  7. Яфаров Р.К. Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах // ФТП. 53 (1). 18 (2019).
  8. Яфаров Р.К. Автоэмиссия многоострийных катодных матриц на кремнии p-типа в сильных импульсных электрических полях // Письма в ЖТФ. 45 (9). 3 (2019).
  9. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
  10. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983. 664 с.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
2.

下载 (97KB)
3.

下载 (82KB)
4.

下载 (65KB)
5.

下载 (74KB)
6.

下载 (55KB)
7.

下载 (173KB)

版权所有 © Р.К. Яфаров, Н.О. Шабунин, 2022

##common.cookie##