КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ: УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты комплексных исследований температурной зависимости электрического сопротивления тонких магнетронных пленок Al от их структурных характеристик: морфологии, шероховатости поверхности, микроструктуры и плотности. С целью установления фундаментальной связи удельного сопротивления со структурными особенностями пленок они осаждались на стандартные подложки Si(111) в режиме двухстадийного роста с формированием гомобуферных слоев в температурном диапазоне от 293 до 800 К. Структурная характеризация образцов была выполнена методами сканирующей силовой и электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии. Показано, что величину и температурную зависимость удельного сопротивления пленок алюминия можно изменять за счет варьирования условий роста гомобуферного слоя, позволяющего осаждать пленки с различным профилем плотности по толщине. Установлено, что магнетронная 120 нм пленка алюминия на 700 К гомобуферном слое с постоянной плотностью 2.66 г/см 3 имеет удельное сопротивление ρ RT = 2.69 мкОм  см и Т с = 1.22 К. Пленки Al с переменной плотностью имели остаточное сопротивление  30 мкОм  см. Основной вклад в сопротивление таких пленок дают межзеренные области с меньшей плотностью, что надежно фиксируется методом рентгеновской рефлектометрии.

Об авторах

А. А. Ломов

НИЦ Курчатовский институт

Email: andlomov@ftian.ru
Москва, Россия

М. А. Тарасов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Москва, Россия

К. Д. Щербачев

Национальный исследовательский технологический университет МИСИС

Москва, Россия

А. А. Татаринцев

НИЦ Курчатовский институт

Москва, Россия

А. М. Чекушкин

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Москва, Россия

Список литературы

  1. Wang H., Blaabjerg F . Reliability of capacitors for DC-link applications in power electronic converters – An overview // IEEE Transactions on industry Applications, 2014, vol. 50. No 5. pp. 3569–3578. https://doi.org/ 10.1109/TIA.2014.2308357
  2. Drozdov M.N., Drozdov Y.N., Chkhalo N.I. et al . Time-of-flight secondary ion mass spectrometry study on Be/Al-based multilayer interferential structures // Thin Solid Films, 2018, vol. 661. pp.65–70. https://doi.org/ 10.1016/j.tsf.2018.07.013
  3. Dubey A., Mishra R., Hsieh et al . Aluminum plasmonics enriched ultraviolet GaN photodetector with ultrahigh responsivity, detectivity, and broad bandwidth // Advanced Science 2020, Vol 7. No 24. pp. 2002274. https://doi.org/ 10.1002/advs.202002274
  4. Earnest C.T., Béjanin J.H., McCo nkey T.G. et al . Substrate surface engineering for high-quality silicon/aluminum superconducting resonators // Superconductor Science and Technology 2018. vol. 31. No 12. pp. 125013. https://doi.org/ 10.1088/1361-6668/aae548
  5. Clarke J., Braginski A.I . The SQUID Handbook – vol. 1 Fundamentals and Technology of SQUIDS and SQUID Systems (Wiley-VCH, Cambridge, 2002).
  6. Mantegazzini F., Ahrens F., Borghesi M. et al . High kinetic inductance NbTiN films for quantum limited travelling wave parametric amplifiers // Physica Scripta, 2023, vol. 98. No 12. pp. 125921. https://doi.org/ 10.1088/1402-4896/ad070d
  7. Khukhareva I. S . The superconducting properties of thin aluminum films // Soviet Physics JETP, 1963. vol. 16. No 4. pp. 828–832.
  8. Tarasov M., Gunbina A., Fominsky M. et al . Fabrication of NIS and SIS nanojunctions with aluminum electrodes and studies of magnetic field influence on IV curves // Electronics 2021, vol. 10. No 23. pp. 2894. https://doi.org/ 10.3390/electronics10232894
  9. Yeh C.C., Do T.H., Liao pp. C. et al . Doubling the superconducting transition temperature of ultraclean wafer-scale aluminum nanofilms // Physical Review Materials, 2023, vol. 7. No 11. pp. 114801. https://doi.org/ 10.1103/PhysRevMaterials.7.114801
  10. Yong Ju Lee . Sang-Won Kang Study on the characteristics of aluminum thin films prepared by atomic layer deposition // J. Vac. Sci. Technol., 2002, vol. A 20. No 6. pp. 183–188. https://doi.org/ 10.1116/1.1513636
  11. Buckel W., Kleiner R . Superconductivity: fundamentals and applications. John Wiley & Sons. WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim 2008
  12. Wu W., Brongersma S.H., Van Hove M., Maex K . Influence of surface and grain-boundary scattering on the resistivity of copper in reduced dimensions // Applied physics letter , 2004, vol. 84. No 15. pp. 2838–2840. https://doi.org/ 10.1063/1.1703844
  13. Munoz R.C., Arenas C . Size effects and charge transport in metals: Quantum theory of the resistivity of nanometric metallic structures arising from electron scattering by grain boundaries and by rough surfaces // Applied Physics Reviews, 2017. vol. 4. No 1. pp. 011102. https://doi.org/ 10.1063/1.4974032
  14. Thomson J. J . On the theory of electric conduction through thin metallic films // Proc. Camb. Philos. Soc . 1901. vol. 11. pp. 120.
  15. Kamerlingh-Onnes H. , Proc. K. Akad. 1906, vol. 9. pp. 459.
  16. Fuchs K . The (electrical) conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals // Proceedings of the Cambridge Philosophical Society 1938, vol. 34. pp. 100–108.
  17. Sondheimer E.H . The mean free path of electrons in metals // Advances in physics, 2001, vol. 50. No 6. pp. 499–537.
  18. Mayadas A.F., Shatzkes M., Janak J.F . Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces // Applied Physics Letters, 1969. vol. 14. No 11. pp. 345–347. https://doi.org/ 10.1063/1.1652680
  19. Mayadas A.F., Shatzkes M . Electrical-resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surfaces // Physical review B, 1970. vol. 1. No 4. pp. 1382–1389.
  20. Pyataikin I.I . Influence of the grain size effect on the coefficients of reflection, transmission, and absorption of microwaves by polycrystalline metal films // Journal of Radio Electronics 2020. vol. 10. pp. 1–29. https://doi.org/ 10.30898/1684-1719.2020.10.5
  21. Zhang W., Brongersma S. H., Richard O. et al . Influence of the electron mean free path on the resistivity of thin metal films // Microelectronic engineering 2004. vol. 76.No 1–4. pp. 146–152. https://doi.org/ 10.1016/j.mee.2004.07.041
  22. Bakonyi I . Accounting for the resistivity contribution of grain boundaries in metals: critical analysis of reported experimental and theoretical data for Ni and Cu // The European Physical Journal Plus 2021. vol. 136. No 4. pp. 410. https://d oi.org/10.1140/epjp/s13360-0 21-01303-4
  23. Chubov P.N., Eremenko V.V., Pilipenko Y. A . Dependence of the critical temperature and energy gap on the thickness of superconducting aluminum films // Sovol. Phys. JETP 1969. vol. 28. No 3. pp. 389–395.
  24. Pettit R.B., Silcox J . Film structure and enhanced superconductivity in evaporated aluminum films, Physical Review B1976. vol. 13. No 7. pp. 2865–2872. https://doi.org/ 10.1103/PhysRevB.13.2865
  25. Amirov I.I., Selyukov R.V, Naumov V.V., Gorlachev E.S . Influence of Deposition Conditions and Ion-Plasma Treatment of Thin Cobalt Films on Their Electrical Resistivity // Russ Microelectron 2021. vol. 50. No 1. pp. 1–7. https://d oi.org/10.1134/S1063739721010030
  26. Parratt L. G . Surface studies of solids by total reflection of X-rays // Physical review 1954. vol. 95. No 2. pp. 359. https://doi.org/ 10.1103/PHYSREvol.95.359
  27. Kiessig H . Interferenz von Röntgenstrahlen an d ü nnen Schichten // Annalen der Physik 1931. vol. 402. No 7. pp. 769–788.
  28. Holý V., Pietsch U., Baumbach T . High-resolution X-ray scattering from thin films and multilayers, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1999. vol. 149
  29. Lomov A.A., Zakharov D.M., Tarasov M.A. et al . Influence of the homobuffer layer on the morphology, microstructure, and hardness of Al/Si (111) films // Technical Physics 2023. vol. 68. No 7. pp. 833–842. https://doi.org/ 10.61011/Tpp.2023.07.56624.83-23
  30. Wormington M., P anaccione C., Matne y K.M., Bowen D. K . Characterization of structures from X-ray scattering data using genetic algorithms // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 1999. vol. 357. No 1761. pp. 2827–2848.
  31. Aswal D.K., Joshi N., Debnath A.K. et al . Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films grown on Si (111) by molecular beam epitaxy // Physica Status Solidi (a) 2006. vol. 203. No 6. pp. 1254–1258. https://doi.org/ 10.1002/pssa.200566102
  32. Седов E.А . Исследование критической температуры сверхпроводящего перехода тонких пленок алюм иния , Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. ВШЭ. Москва 2024 г. 124 стр.
  33. Desai P.D., James H.M., Ho C. Y . Electrical resistivity of aluminum and manganese // Journal of physical and chemical reference data 1984. vol. 13. No 4. pp. 1131–1172.
  34. Samsonov G. V . Handbook of the Physicochemical Properties of the Elements. Springer Science & Business Media 2012. A subsidiary of Plenum Publishing Corporation: Springer New-York-Washington 1968. https://doi.org/ 10.1007/978 - 1 - 4684 - 6066 - 7
  35. Nečas D., Klapetek P . Gwyddion: an open-source software for SPM data analysis // Open Physics 2012. vol. 10. No 1. pp. 181–188. https://doi.org/ 10.2478/s11534 - 011 - 0096 - 2
  36. Horcas I., Fernández R. , Gomez-Rodriguez J .M., Colchero J.W.S .X., Gómez-Herrero J.W.S.X.M., Baro A.M . WSXM: A software for scanning probe microscopy and a tool for nanotechnology // Review of scientific instruments 2007. vol. 78. No 1. pp. 013705. https://doi.org/ 10.1063/1.2432410.
  37. Shvartsman V.V., Kholkin A. L . Evolution of nanodomains in 0.9 PbMg 1/3 Nb 2/3 O 3–0.1 PbTiO 3 single crystals // Journal of applied physics 2007, vol. 101. pp. 064108. https://doi.org/ 10.1063/1.2713084
  38. Lomov A.A., Zakharov D.M., Tarasov M.A . et al . Al Islands on Si (111): Growth Temperature, Morphology, and Strain // Russian Microelectronics 2024. vol. 53. No 4. pp. 339–348. https://doi.org/ 10.1134/S1063739724600468
  39. Croce P., Névot L . Étude des couches minces et des surfaces par réflexion rasante, spéculaire ou diffuse, de rayons X. // Revue de physique appliquée 1976. vol. 11. No 1. pp. 113–125. https://doi.org/ 10.1051/rphysap:01976001101011300
  40. Artioukov I.A., Asadchikov V.E ., Kozhevnikov I. V . Effects of a near-surface transition layer on X-ray reflection and scattering // Journal of X-Ray Science and Technology 1996. vol. 6. No 3. pp. 223–243. https://doi.org/ 10.3233/XST-1996 - 6301
  41. Afanas’ev A.M., Chuev M.A., Imamov R.M. et al . Study of multilayer GaAs-In x Ga 1-x As layers-based structure by double-crystal x-ray diffractometry // Kristallografiya 1997. vol. 42. No 3. pp. 514–523.
  42. Press W.H. et al . Numerical Recipes in C. N.Y.: Cambridge University Press.1996. 994 pp.
  43. Dobierzewska-Mozrzym as E., Warkusz F . Size effects in epitaxial aluminium films // Thin Solid Films 1977. vol. 43. No 3. pp. 267–273. https://doi.org/ 10.1016/0040 - 6090(77)90288 - 7
  44. Ashcroft N.W., Mermin N. D . Solid State physics, WB Saunders, Philadephia, 1976.
  45. Birkholz M ., Thin film analysis by X-ray scattering, John Wiley & Sons. 2006. https://doi.org/10.1002/3527607595

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».