Отправить статью по E-mail Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток {InGaAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) и (111)A
- Авторы: Климов Е.А.1,2, Пушкарёв С.С.1, Клочков А.Н.3, Можаева М.О.2
-
Учреждения:
- Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН
- Государственный научный центр Российской Федерации Акционерное общество “НПО “Орион”
- Научно-исследовательский ядерный университет “МИФИ”
- Выпуск: Том 52, № 3 (2023)
- Страницы: 167-173
- Раздел: ДИАГНОСТИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/138550
- DOI: https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
- EDN: https://elibrary.ru/UDRWAA
- ID: 138550
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Сообщается о получении сверхрешeток с псевдоморфно напряжeнными квантовыми ямами {I-nхGa1–хAs/GaAs}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100), (110) и (111)A. Качество кристаллической структуры эпитаксиальных образцов оценивается с помощью атомно-силовой микроскопии их поверхности. Сообщается о проявлении пьезоэлектрического поля в спектрах фотолюминесценции.
Об авторах
Е. А. Климов
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроникиимени В.Г. Мокерова РАН; Государственный научный центр Российской Федерации Акционерное общество “НПО “Орион”
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5; Россия, 111538, Москва, ул. Косинская, 9
С. С. Пушкарёв
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроникиимени В.Г. Мокерова РАН
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5
А. Н. Клочков
Научно-исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, 115409, Москва, Каширское шоссе, 31
М. О. Можаева
Государственный научный центр Российской Федерации Акционерное общество “НПО “Орион”
Автор, ответственный за переписку.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, 111538, Москва, ул. Косинская, 9
Список литературы
- Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. Lateral piezoelectric fields in strained semiconductor heterostructures // Physical Review B. 1994. V. 50. I. 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
- Smith D.L., Mailhiot C. Theory of semiconductor superlattice electronic structure // Reviews of Modern Physics. 1990. V. 62. № 1. P. 173–234. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.62.173
- Takeuchi H., Yanagisawa J., Hasegawa T., Nakayama M. Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 081916. https://doi.org/10.1063/1.2976436
- Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Климов Е.А., Васильевский И.С., Мальцев П.П. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 4. С. 529–534. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44347.8408
- Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарёв С.С. Генерация терагерцового излучения низкотемпературными мультислойными эпитаксиальными пленками i-LT-GaAs/n-GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 2. С. 77–84. https://doi.org/10.17587/nmst.19.77-84
- Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411)A // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 3. С. 322–330. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
- Vaccaro P.O., Takahashi M., Fujita K., Watanabe T. Growth by molecular beam epitaxy and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum wells on GaAs (111)A substrates // Journal of Applied Physics. 1994. V. 76. P. 8037–8041. https://doi.org/10.1063/1.357923
- Khoo E.A., David J.P.R., Woodhead J., Grey R., Rees G. Photoluminescence linewidths of piezoelectric quantum wells // Applied Physics Letters. 1999. V. 75. P. 1929–1931. https://doi.org/10.1063/1.124874
- Chin A., Lee K. High quality Al(Ga)As/GaAs/Al(Ga)As quantum wells grown on (111)A GaAs substrates // Applied Physics Letters. 1996. V. 68. P. 3437–3439. https://doi.org/10.1063/1.115785
- Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах // ФТП. 2006. Вып. 12. С. 1479–1483.
- Romanato F., Napolitani E., Carnera A., Drigo A.V., Lazzarini L., Salviati G., Ferrari C., Bosacchi A., Franchi S. Strain relaxation in graded composition InxGa1–xAs/GaAs buffer layers // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 4748–4755. https://doi.org/10.1063/1.371439
- Choi H., Jeong Y., Cho J., Jeon M.H. Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (001) // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 1091–1095. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.10.116
Дополнительные файлы
