Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The processes of plasma-chemical and reactive-ion etching of silicon in trifluoromethane (CHF3) are studied using optical emission spectroscopy. The dependences of the radiation intensities of atoms and mol-ecules on the etching time, input power, and pressure of the plasma-forming gas are obtained and analyzed.

Авторлар туралы

D. Murin

Ivanovo State University of Chemistry and Technology

Email: dim86@mail.ru
Ivanovo, 153000 Russia

I. Chesnokov

Ivanovo State University of Chemistry and Technology

Email: dim86@mail.ru
Ivanovo, 153000 Russia

S. Pivovarenok

Ivanovo State University of Chemistry and Technology

Email: dim86@mail.ru
Ivanovo, 153000 Russia

A. Efremov

Ivanovo State University of Chemistry and Technology

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: dim86@mail.ru
Ivanovo, 153000 Russia

Әдебиет тізімі

  1. Галперин В.А., Данилкин Е.В., Мочалов А.И. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях / Под ред. Тимошенкова С.П. М.: БИНОМ, 2018. 283 с.
  2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Под ред. Данилин Б.С. М.: Энергоатомиздат, 1987. 264 с.
  3. Glauco F. Bauerfeldt, Graciela Arbilla. Kinetic analysis of the chemical processes in the decomposition of gaseous dielectrics by a non-equilibrium plasma – Part 1: CF4 and CF4/O2// J. Braz. Chem. Soc. 2000. V. 11. № 2. P. 121.
  4. Yeom G.Y., Kushner M.J. Si/SiO2 etch properties using CF4 and CHF3 in radio frequency cylindrical magnetron discharges // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 857–859.
  5. Rossnagel S.M., Cuomo J.J., Westwood W.D. (Eds.). Handbook of plasma processing technology. Noyes Publications, Park Ridge, 1990. 338 p.
  6. Ситанов Д.В., Пивоваренок С.А. Кинетика рекомбинации атомов в плазме хлора на образцах кремния // Физика плазмы. 2018. Т. 44. № 8. С. 624–634.
  7. Gaboriau F., Cartry G., Peignon M.-C., Cardinaud Ch. Selective and deep plasma etching of SiO2: Comparison between different fluorocarbon gases (CF4, C2F6, CHF3) mixed with CH4 or H2 and influence of the residence time // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. P. 1514–1521.
  8. Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М., Светцов В.И. Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде // Нанотехника. 2011. № 1 (25). С. 69–71.
  9. Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. Электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы тлеющего разряда в хлористом водороде // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 9. С. 48–52.
  10. Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И. Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде // Нанотехника. 2012. № 1 (29). С. 93–95.
  11. Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Годнев Е.М. Интенсивности излучения и концентрации нейтральных частиц в плазме тлеющего разряда постоянного тока в смесях HCl–H2 и HCl–O2 // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 8. С. 41–44.
  12. Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Овцын А.А., Шабадаров С.С. Интенсивности излучения и концентрации активных частиц в плазме тлеющего разряда в смесях хлористого водорода с аргоном и гелием // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 4. С. 29–32.
  13. Пирс Р., Гейдон А. Отождествление молекулярных спектров. М.: Изд. иностр. лит, 1949. 540 с.
  14. Свентицкий А.Р., Стриганов Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов. М.: Атомиздат, 1966. 900 с.
  15. DU Wei, YE Chao, CHENG Shan-hua, NING Zhao-yuan // Plasma Science & Technology. 2002. V. 4. № 6. P. 1535.
  16. Ефремов А.М., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. Параметры плазмы и кинетика травления GaAs в газовых смесях HCl с добавками Ar, H2 и Cl2 переменного начального состава // Физика и химия обработки материалов. 2015. № 6. С. 52–61.
  17. Дунаев А.В., Мурин Д.Б. Исследование травления арсенида галлия в разряде постоянного тока в хлорводород содержащих смесях при низком давлении // Физика плазмы. 2018. Т. 44. № 4. С. 390–396.
  18. Пивоваренок С.А., Мурин Д.Б. Кинетика травления кремния в плазме трифторметана // Химия высоких энергий. 2022. Т. 56. № 3. С. 223–226.

Қосымша файлдар


© Д.Б. Мурин, И.А. Чесноков, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, 2023

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>