Perspectives of electron-beam and ion-beam lithography development in Russia

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The development of national resists for electron-beam and ion-beam lithography processes is reviewed. Positive resists based on polymethyl methacrylate allow to create nanoscale structures. Moreover, the possibility of using a combination of the created resists as bilayer resist is demonstrated. The perspectives of the development of national processes of electron-beam and ion-beam lithography are also demonstrated. At the present moment own national technological processes of electron-beam and ion-beam lithography are at the stage of demonstrators. In the near future, national electron-beam and ion-beam lithography devices will be developed. It will take significantly more time to organize production of national ion-beam lithography equipment.

Авторлар туралы

S. Zaitsev

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences

Email: rochtch@iptm.ru
Moscow, Russia

D. Irzhak

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences

Email: rochtch@iptm.ru
Moscow, Russia

A. Il’in

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences

Email: rochtch@iptm.ru
Moscow, Russia

M. Knyazev

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences

Email: rochtch@iptm.ru
Moscow, Russia

D. Roshchupkin

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences

Email: rochtch@iptm.ru
Moscow, Russia

V. Grachev

Federalo Research Center of Problems of Chemical Physics and Medical Chemistry RAS

Email: rochtch@iptm.ru

V. Kurbatov

Federalo Research Center of Problems of Chemical Physics and Medical Chemistry RAS

Email: rochtch@iptm.ru

G. Malkov

Federalo Research Center of Problems of Chemical Physics and Medical Chemistry RAS

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: rochtch@iptm.ru

Әдебиет тізімі

  1. Buitrago E., Kulmala T.S., Felica R., Ekinci Y. Chapter 4 – EUV lithography process challenge. Frontiers of Nanoscience. Elsevier. 2016. V. 11. P. 135–176. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-100354-1.00004-1
  2. Fu N., Liu Y., Ma X., Chen Z. EUV Lithography: State-of-the-Art Review // J. Microelectron. Manuf. 2019. V. 2. P. 19020202. https://doi.org/10.33079/jomm.19020202
  3. Grigorescu A.E., Hagen C.W. Resists for sub-20-nm electron beam lithography with a focus on HSQ: state of the art // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 292001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/20/29/292001
  4. Winston D., Cord B.M., Ming B., Bell D.C., DiNatale W.F., Stern L.A., Vladar A.E., Postek M.T., Mondol M.K., Yang J.K.W., Berggren K.K. Scanning-helium-ion-beam lithography with hydrogen silsesquioxane resist // J. Vac. Sci. Technol. 2009. V. B27. P. 2702–2706. https://doi.org/10.1116/1.3250204
  5. Shabelnikova Ya.L., Zaitsev S.I. Ion-beam lithography: modelling and analytical description of the deposited in resist energy // Technical Physics. 2022. V. 67. P. 919–923. https://doi.org/10.21883/TP.2022.08.54550.104-22
  6. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithograph // Journal of Nanotechnology. 2014. V. 2014. P. 170415. http://dx.doi.org/10.1155/2014/170415
  7. Jung Y., Cheng X. Dual-layer thermal nanoimprint lithography without dry etching // J. Micromech. Microeng. 2012. V. 22. P. 085011. https://doi.org/10.1088/0960-1317/22/8/085011
  8. Lan H., Ding Y., Liu H., Lu B. Development of a step micro-imprint lithography tool // J. Micromech. Microeng. 2007. V. 17. P. 2039–2048. https://doi.org/10.1088/0960-1317/17/10/016
  9. Sakharov S., Roshchupkin D., Emelin E., Irzhak D., Buzanov O., Zabelin A. X-ray diffraction investigation of high-temperature SAW sensor based on LGS crystal // Procedia Engineering. 2011. V. 25. P. 1020–1023.https://doi.org/10.1016/j.proeng.2011.12.251
  10. Grigoriev M., Fakhrtdinov R., Irzhak D., Firsov Al., Firsov An., Svintsov A., Erko A., Roshchupkin D. Two-dimensional X-ray focusing by off-axis grazing incidence phase Fresnel zone plate on the laboratory X-ray source // Optics Communications. 2017. V. 385. P. 15–18.https://doi.org/10.1016/j.optcom.2016.10.024
  11. Irzhak D.V., Knyasev M.A., Punegov V.I., Roshchupkin D.V. X-ray diffraction by phase diffraction gratings // J. Appl. Cryst. 2015. V. 48. P. 1159–1164. https://doi.org/10.1107/S1600576715011607
  12. Brodie I., Muray J.J. The physics of microfabrictaion. Plenum Press. New York and London, 1982. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-2160-4

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».