Doklady Chemistry
ISSN 0012-5008 (Print)
ISSN 1608-3113 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Alkyl Ether
Calcium Phosphate Cement
Carbazole
Cement Material
Cement Powder
Copolymerization
DOKLADY Chemistry
Epichlorohydrin
Fullerene
Graphene Ribbon
High Occupied Molecular Orbital
High Performance Liquid Chroma
Hybrid Nanoparticles
Integrate Intensity Ratio
Local Curvature
Membered Ring
Nonionic Surfactant
Phen
Torrefac Tion
Tricalcium Phosphate
Tubular Reactor
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Alkyl Ether
Calcium Phosphate Cement
Carbazole
Cement Material
Cement Powder
Copolymerization
DOKLADY Chemistry
Epichlorohydrin
Fullerene
Graphene Ribbon
High Occupied Molecular Orbital
High Performance Liquid Chroma
Hybrid Nanoparticles
Integrate Intensity Ratio
Local Curvature
Membered Ring
Nonionic Surfactant
Phen
Torrefac Tion
Tricalcium Phosphate
Tubular Reactor
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Yakovenko, A.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 467, № 1 (2016)
Chemistry
The role of the etchant ion in the formation and growth of pores in silicon during its etching in hydrofluoric acid solutions
Том 470, № 1 (2016)
Chemistry
A model of the mechanism of the chemical interaction of the etchant ion (HF
2
)
–
with silicon during its electrochemical etching in hydrofluoric acid solutions
Том 473, № 2 (2017)
Chemistry
Pore nucleation and growth in
n
-type Si during its electrochemical etching
Том 474, № 1 (2017)
Chemistry
Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers
Том 477, № 2 (2017)
Chemistry
The effect of the type of conductivity on the initiation and formation of pores in silicon during electrochemical etching
Том 481, № 2 (2018)
Chemistry
Origin of Porous Silicon Photoluminescence Peaks in the Wavelength Range 460–700 nm
Том 487, № 1 (2019)
Chemistry
Features of Pore Nucleation in p-Si during Its Electrochemical Etching
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP