Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers

E. N. Abramova; A. M. Khort; A. G. Yakovenko; T. A. Sorokin; V. I. Shvets

doi:10.1134/S0012500817050044

Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers

Авторлар: Abramova E.N.¹, Khort A.M.¹, Yakovenko A.G.¹, Sorokin T.A.¹, Shvets V.I.¹
Мекемелер:
1. Institute of Fine Chemical Technologies
Шығарылым: Том 474, № 1 (2017)
Беттер: 113-115
Бөлім: Chemistry
URL: https://journals.rcsi.science/0012-5008/article/view/153984
DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500817050044
ID: 153984

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect of thermal annealing of porous silicon layers in various media with subsequent exposure to air on the photoluminescence spectra of the layers was described.