Doklady Chemistry
ISSN 0012-5008 (Print)
ISSN 1608-3113 (Online)
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Shvets, V.
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Volume 467, Nº 1 (2016)
Chemistry
The role of the etchant ion in the formation and growth of pores in silicon during its etching in hydrofluoric acid solutions
Volume 470, Nº 1 (2016)
Chemistry
A model of the mechanism of the chemical interaction of the etchant ion (HF
2
)
–
with silicon during its electrochemical etching in hydrofluoric acid solutions
Volume 473, Nº 2 (2017)
Chemistry
Pore nucleation and growth in
n
-type Si during its electrochemical etching
Volume 474, Nº 1 (2017)
Chemistry
Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers
Volume 477, Nº 2 (2017)
Chemistry
The effect of the type of conductivity on the initiation and formation of pores in silicon during electrochemical etching
Volume 481, Nº 2 (2018)
Chemistry
Origin of Porous Silicon Photoluminescence Peaks in the Wavelength Range 460–700 nm
Volume 487, Nº 1 (2019)
Chemistry
Features of Pore Nucleation in p-Si during Its Electrochemical Etching
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