Control of the Power Semiconductor Thermal Mode Involving the Concept of Transient Thermal Impedance


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The problems of providing thermal stability of the power semiconductors under the effect of dramatic dynamic current overloading were considered. A new method was proposed of intelligent thermal protection of power semiconductors that is based on the application of the equivalent thermal time constant of the power device physical structure determined by the transition function of the thermosensitive parameter.

Авторлар туралы

A. Ershov

Stavropol State Agrarian University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: journal-elektrotechnika@mail.ru
Ресей, Stavropol, 355017

V. Khorolsky

Stavropol State Agrarian University

Email: journal-elektrotechnika@mail.ru
Ресей, Stavropol, 355017

I. Atanov

Stavropol State Agrarian University

Email: journal-elektrotechnika@mail.ru
Ресей, Stavropol, 355017

A. Efanov

Stavropol State Agrarian University

Email: journal-elektrotechnika@mail.ru
Ресей, Stavropol, 355017

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2019