Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Kholodnov, V. A.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Analytical approach to selection of the optimum structure of avalanche heterophotodiodes based on direct bandgap semiconductors
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Principles of an analytical method of optimization of structure parameters of avalanche heterophotodiodes with separated regions of absorption and multiplication
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Analytical description of avalanche photodiode characteristics. An overview: Part I
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Analytical Description of Avalanche Photodiode Characteristics. An Overview: Part II
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
To the Problem of Optimization of Parameters of a Double Heterostructure Based on Direct-Gap Semiconductors for Avalanche Photodiodes
Том 64, № 9 (2019)
Article
On the Theory of a Photocurrent Burst in an Intrinsic Photoresistor upon Longitudinal and Transverse Illumination
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP