Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Kuznetsov, P.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 2 (2016)
Nanoelectronics
Deposition of heteroepitaxial layers of topological insulator Bi
2
Se
3
in the trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al
2
O
3
and (100) GaAs substrates
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Investigation of 1024 × 10 multirow focal plane arrays based on the solid solution of mercury–cadmium–telluride
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Comparative analysis of readout large-scale integrated circuits with an analog-to-digital converter in the cell for a photodetector of the far infrared range
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Implementation of the time delay and integration mode in a scanning 576 × 6 focal-plane array of the long-wave infrared range
Том 64, № 3 (2019)
Article
Extension of the Dynamic Range of Short-Wavelength IR FPAs
Том 64, № 9 (2019)
Article
Focal Plane Array Based on the InGaAs/InP Heterostructure for 3D Imaging in Short-Wave IR Range
Том 64, № 9 (2019)
Article
Photodetector of Shortwave Infrared Range of Format 640
×
512 Elements with Increased Dynamic Range
Том 64, № 10 (2019)
Novel Radio Systems and Elements
Two-Color Photodetector for the Visible Spectral Range Based on ZnSe/ZnS/GaAs Bragg Reflector
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP