Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Kuznetsov, P.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 2 (2016)
Nanoelectronics
Deposition of heteroepitaxial layers of topological insulator Bi
2
Se
3
in the trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al
2
O
3
and (100) GaAs substrates
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Investigation of 1024 × 10 multirow focal plane arrays based on the solid solution of mercury–cadmium–telluride
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Comparative analysis of readout large-scale integrated circuits with an analog-to-digital converter in the cell for a photodetector of the far infrared range
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Implementation of the time delay and integration mode in a scanning 576 × 6 focal-plane array of the long-wave infrared range
Том 64, № 3 (2019)
Article
Extension of the Dynamic Range of Short-Wavelength IR FPAs
Том 64, № 9 (2019)
Article
Focal Plane Array Based on the InGaAs/InP Heterostructure for 3D Imaging in Short-Wave IR Range
Том 64, № 9 (2019)
Article
Photodetector of Shortwave Infrared Range of Format 640
×
512 Elements with Increased Dynamic Range
Том 64, № 10 (2019)
Novel Radio Systems and Elements
Two-Color Photodetector for the Visible Spectral Range Based on ZnSe/ZnS/GaAs Bragg Reflector
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP