Solid-state photoelectronics of the ultraviolet range (Review)


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The state-of-the-art of the development of photodetectors and photoreceiving devices operating in the range of electromagnetic radiation 0.1–0.38 μm is presented. A review of the world achievements and tendencies in the development of this field of photoelectronics based on various semiconducting materials is presented. Main physical and engineering problems of the development of ultraviolet photodetector modules designed on the basis of the АIII-N compounds are considered.

Ключевые слова

Об авторах

K. Boltar

Orion Research and Production Association; Moscow Institute of Physics and Technology (State University)

Автор, ответственный за переписку.
Email: orion@orion-ir.ru
Россия, ul. Kosinskaya 9, Moscow, 111538; Institutskii per. 9, Dolgoprudnyi, Moscow oblast, 141700

I. Burlakov

Orion Research and Production Association; Moscow Institute of Radio Engineering and Automation

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, ul. Kosinskaya 9, Moscow, 111538; pr. Vernadskogo 78, Moscow, 119454

V. Ponomarenko

Orion Research and Production Association; Moscow Institute of Physics and Technology (State University)

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, ul. Kosinskaya 9, Moscow, 111538; Institutskii per. 9, Dolgoprudnyi, Moscow oblast, 141700

A. Filachev

Orion Research and Production Association

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, ul. Kosinskaya 9, Moscow, 111538

V. Salo

Orion Research and Production Association

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, ul. Kosinskaya 9, Moscow, 111538


© Pleiades Publishing, Inc., 2016

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах