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Volume 62, Nº 3 (2017)
Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
Voitsekhovskii A., Gorn D.
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(Eng)
Volume 62, Nº 3 (2017)
A 1280 × 1024 CMOS visible-range photodetector chip with a pixel size of 13 × 13 μm
Borodin D., Osipov Y., Vasil’ev V.
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(Eng)
Volume 64, Nº 9 (2019)
Analysis of Current–Voltage Characteristics in UV AlGaN Heterostructure FPAs
Iakovleva N., Nikonov A., Boltar K., Sednev M.
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(Eng)
Volume 62, Nº 3 (2017)
Methods for measuring the current–voltage characteristics of photodiodes in a multirow infrared photodetector
Baliev D., Boltar K.
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(Eng)
Volume 64, Nº 9 (2019)
Focal Plane Array Based on the InGaAs/InP Heterostructure for 3D Imaging in Short-Wave IR Range
Burlakov I., Kuznetsov P., Moshchev I., Boltar K., Yakovleva N.
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(Eng)
Volume 61, Nº 10 (2016)
Advantages of solid-state photodetectors for a spectral interval of 1.4–1.7 μm in night-vision devices
Gusarova N., Koshchavtsev N., Popov S.
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(Eng)
Volume 63, Nº 9 (2018)
Multi-Row Photodetectors for the Short Wavelength IR Region Based on HgCdTe Heteroepitaxial Structures
Iakovleva N., Boltar K., Nikonov A., Egorov A.
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(Eng)
Volume 61, Nº 10 (2016)
Comparative analysis of readout large-scale integrated circuits with an analog-to-digital converter in the cell for a photodetector of the far infrared range
Kuznetsov P., Moshchev I.
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(Eng)
Volume 63, Nº 9 (2018)
Current–Voltage Characteristics of n-B-p Structures with Absorbing In0.53Ga0.47As Layer
Sednev M., Boltar K., Irodov N., Demidov S.
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(Eng)
Volume 61, Nº 10 (2016)
Investigation of 1024 × 10 multirow focal plane arrays based on the solid solution of mercury–cadmium–telluride
Solyakov V., Bochkov V., Drazhnikov B., Kuznetsov P., Kozlov K.
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(Eng)
Volume 62, Nº 9 (2017)
Selective UV photodetectors based on the metal–AlGaN Schottky barrier
Tarasov S., Lamkin I., Mikhailov I., Evseenkov A., Solomonov A.
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(Eng)
Volume 61, Nº 3 (2016)
320 × 256 avalanche array photodetector on the basis of ternary alloys of the A3B5 group with an InGaAs absorbing layer and an InAlAs barrier layer
Iakovleva N., Boltar K., Sedneva M., Lopukhin A., Korotaev E.
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(Eng)
Volume 62, Nº 9 (2017)
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Iakovleva N., Boltar K., Sednev M., Nikonov A.
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