Автор туралы ақпарат

Ladugin, M. A.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 62, № 3 (2017) Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes
Том 64, № 3 (2019) Article Study of Photodiodes Based on the InGaAs Structure with a Boundary Wavelength of 2.06 μm

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>