Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
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Zhuravlev, K.
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卷 42, 编号 7 (2016)
Article
Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures
卷 42, 编号 8 (2016)
Article
Studying average electron drift velocity in pHEMT structures
卷 43, 编号 1 (2017)
Article
Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping
卷 43, 编号 6 (2017)
Article
Features of current flow in structures based on Au/Ti/
n
-InAlAs Schottky barriers
卷 44, 编号 3 (2018)
Article
Increasing Saturated Electron-Drift Velocity in Donor–Acceptor Doped pHEMT Heterostructures
卷 45, 编号 2 (2019)
Article
The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/
n
-InAlAs(001) Schottky Diodes
卷 45, 编号 7 (2019)
Article
High-Power High-Speed Schottky Photodiodes for Analog Fiber-Optic Microwave Signal Transmission Lines
卷 45, 编号 8 (2019)
Article
Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
卷 45, 编号 9 (2019)
Article
Optical Gain in Heavily Doped Al
x
Ga
1 –
x
N:Si Structures
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