An Optical Study of Disordering in Cadmium Mercury Telluride Solid Solutions


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The disordering in cadmium mercury telluride solid solution films grown by molecular beam epitaxy on Si and GaAs substrates has been examined by optical transmission and photoluminescence investigations. The effect of a fundamental decrease in the disordering scale under thermal annealing and possible interplay of the observed phenomena with defects typical of films grown by molecular beam epitaxy are discussed.

Об авторах

V. Ivanov-Omskii

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

K. Mynbaev

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

I. Trapeznikova

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

D. Andryushchenko

St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics (ITMO University)

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

N. Bazhenov

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Mikhailov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Varavin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Remesnik

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

S. Dvoretskii

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

M. Yakushev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Россия, Novosibirsk, 630090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах