Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Egorov, A.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 42, № 3 (2016)
Article
The influence of an In
0.52
Al
0.48
As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor
Том 42, № 11 (2016)
Article
Visualization of 1.908-μm radiation of a Tm:YLF laser using PbF
2
-based ceramics doped with Ho
3+
ions
Том 43, № 7 (2017)
Article
Spectral properties and anti-Stokes luminescence of TeO
2
–BaF
2
:Ho
3+
, Ho
3+
/Yb
3+
ceramics and glass excited by 1.9-μm radiation of a Tm:LiYF
4
laser
Том 43, № 7 (2017)
Article
Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 μm
Том 44, № 1 (2018)
Near-IR Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Special Issue)
Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-μm Lasers Fabricated by Fusion
Том 44, № 2 (2018)
Article
Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 μm Spectral Range
Том 45, № 4 (2019)
Article
Room Temperature Lasing of Single-Mode Arched-Cavity Quantum-Cascade Lasers
Том 45, № 6 (2019)
Article
Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-μm Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures
Том 45, № 7 (2019)
Article
High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-μm Wavelength Range
Том 45, № 10 (2019)
Article
Generation of Frequency Combs by Quantum Cascade Lasers Emitting in the 8-μm Wavelength Range
Том 45, № 11 (2019)
Article
InAlAs/InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors with a Composite Channel and Higher Breakdown Characteristics
Том 45, № 11 (2019)
Article
Spectral Shift of Quantum-Cascade Laser Emission under the Action of Control Voltage
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP