Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print)
ISSN 1608-3415 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Efremov, A. M.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 45, № 2 (2016)
Article
Kinetics of growth and plasma destruction of polymer films deposited in a glow discharge in methane
Том 45, № 4 (2016)
Article
Kinetics of neutral particles in HCl and HBr plasmas at low pressures and high electron concentrations
Том 47, № 4 (2018)
Article
On the Effect of the Ratio of Concentrations of Fluorocarbon Components in a CF
4
+ C
4
F
8
+ Ar Mixture on the Parameters of Plasma and SiO
2
/Si Etching Selectivity
Том 47, № 6 (2018)
Article
Parameters of Plasma and Kinetics of Active Particles in CF
4
(CHF
3
) + Ar Mixtures of a Variable Initial Composition
Том 48, № 2 (2019)
Article
Features of the Kinetics of Bulk and Heterogeneous Processes in CHF
3
+ Ar and C
4
F
8
+ Ar Plasma Mixtures
Том 48, № 6 (2019)
Article
Parameters of Plasma and Way of Etching Silicon in a CF
4
+ CHF
3
+ O
2
Mixture
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP