Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The masking properties are studied for polymeric structures based on a triacrylamide derivative of polyfluorochalcone at wet etching in aqueous acidic (H2SO4, H3PO4) and alkaline (NaOH) environments, as well as at reactive ion etching (CF4). The kinetic curves are obtained and the etching rates inherent in the photoresists are estimated. A comparison with commercially available photoresists AZ4562 and SU-8 is performed.

Об авторах

S. Derevyashkin

Novosibirsk Institute of Organic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences,
; Institute of Laser Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: Lilpick69@mail.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

E. Soboleva

Novosibirsk Institute of Organic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences,

Email: Lilpick69@mail.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Shelkovnikov

Novosibirsk Institute of Organic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences,
; Novosibirsk State Technical University

Email: Lilpick69@mail.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630073

A. Malyshev

Institute of Automation and Electrometry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: Lilpick69@mail.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Korolkov

Institute of Automation and Electrometry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: Lilpick69@mail.ru
Россия, Novosibirsk, 630090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах