Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Elements with Improved Resilience to External Influences


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

This paper analyzes some features of the process and device simulation tools. The tools are analyzed as applied to the calculation of electrical characteristics for several integrated circuit (IC) devices operating under different external conditions. The model features having the maximum effect on the simulation results are identified.

Об авторах

Y. Chaplygin

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

T. Krupkina

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

A. Krasukov

National Research University of Electronic Technology

Автор, ответственный за переписку.
Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

E. Artamonova

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).