Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Elements with Improved Resilience to External Influences


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

This paper analyzes some features of the process and device simulation tools. The tools are analyzed as applied to the calculation of electrical characteristics for several integrated circuit (IC) devices operating under different external conditions. The model features having the maximum effect on the simulation results are identified.

Об авторах

Y. Chaplygin

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

T. Krupkina

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

A. Krasukov

National Research University of Electronic Technology

Автор, ответственный за переписку.
Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow

E. Artamonova

National Research University of Electronic Technology

Email: a_kras@org.miet.ru
Россия, Moscow


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах