Stability analysis of monolithic integrated circuit of microwave signal converter to the influence of special factors


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The research results of the resistance of signal converters with the operating frequency of 57–64 GHz, manufactured at the Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics on AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures to the action of special factors such as neutron and gamma radiation are presented. The results of evaluation of the long-term stability of the signal converters at high temperature are also discussed. The possible physical mechanisms of the changing characteristics are considered.

Об авторах

K. Kagirina

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Автор, ответственный за переписку.
Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

Yu. Fedorov

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

D. Lavrukhin

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

S. Gamkrelidze

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

D. Gnatyuk

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

A. Zuev

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

O. Ruban

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 117105

D. Gromov

National Research Nuclear University “MEPhI,”

Email: kagirina@gmail.com
Россия, Moscow, 115409


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах