Development of magnetic semiconductor microsystems technology


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results of the development of technologies of magnetic semiconductor chips based on thinfilm magnetoresistive multilayer structures are presented. A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effects is made.

Об авторах

V. Amelichev

State Research and Development Center of Russian Federation “Technological Center” MIET; National Research University of Electronic Technology MIET

Автор, ответственный за переписку.
Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow, 124498; Moscow, 124498

I. Abanin

State Research and Development Center of Russian Federation “Technological Center” MIET

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow, 124498

V. Aravin

Troops Unit 68240

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow

D. Kostyuk

State Research and Development Center of Russian Federation “Technological Center” MIET; National Research University of Electronic Technology MIET

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow, 124498; Moscow, 124498

S. Kasatkin

Trapeznikov Institute of Control Sciences

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow, 117997

A. Reznev

Troops Unit 68240

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow

A. Saurov

State Research and Development Center of Russian Federation “Technological Center” MIET; Institute of Nanotechnology of Microelectronics

Email: V.Amelichev@tcen.ru
Россия, Moscow, 124498; Moscow, 119991

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).