System-on-chip: Specifics of radiation behavior and estimation of radiation hardness

O. A. Kalashnikov; P. V. Nekrasov; A. Yu. Nikiforov; V. A. Telets; G. V. Chukov; V. V. Elesin

doi:10.1134/S1063739716010066

System-on-chip: Specifics of radiation behavior and estimation of radiation hardness

Авторы: Kalashnikov O.A.¹, Nekrasov P.V.¹, Nikiforov A.Y.¹, Telets V.A.¹, Chukov G.V.¹, Elesin V.V.¹
Учреждения:
1. National Research Nuclear University MEPhI, ENPO SPELS
Выпуск: Том 45, № 1 (2016)
Страницы: 33-40
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/185518
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739716010066
ID: 185518

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The analysis results of typical radiation faults of the system-on-chip have been presented. The specifics of digital, analog-to-digital (mixed), and microwave system-on-chip are considered. A set of the basic parameters-criteria for the radiation hardness of system-on-chip of various classes is determined. Methodical and technical designs for controlling the operability of the System-on-chip by carrying out radiation tests are proposed.