Multilevel Bipolar Memristor Model Considering Deviations of Switching Parameters in the Verilog-A Language


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

We describe a bipolar memristor in the Verilog-A language. The proposed model concepts take into account the following parameter deviations in the memristor switching between conduction states: the variation of the conduction parameters in the highly resistive and low-resistance state, the switching threshold variations, and the variation of the number of switching cycles.

Авторлар туралы

G. Teplov

Molecular Electronics Research Institute (AO MERI)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: gteplov@niime.ru
Ресей, Moscow, 124460

E. Gornev

Molecular Electronics Research Institute (AO MERI)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: egornev@niime.ru
Ресей, Moscow, 124460

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019