Formation of Two-Component Vertical Contact Structures for Mounting Integrated-Circuit Chips


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The technological capabilities of the layer-by-layer electrochemical formation of vertical contact structures based on a copper–tin system for mounting silicon chips, including 3D technologies, have been considered. The possibility of fixing a chip–board clearance for the preventing a short circuit between the contact areas with the solder material has been shown.

Об авторах

V. Roshchin

National Research University of Electronic Technology (MIET)

Email: OFH.MIET@yandex.ru
Россия, Zelenograd, Moscow

I. Petukhov

National Research University of Electronic Technology (MIET)

Автор, ответственный за переписку.
Email: OFH.MIET@yandex.ru
Россия, Zelenograd, Moscow

K. Sen’chenko

National Research University of Electronic Technology (MIET)

Email: OFH.MIET@yandex.ru
Россия, Zelenograd, Moscow

A. Roshchina

National Research University of Electronic Technology (MIET)

Email: OFH.MIET@yandex.ru
Россия, Zelenograd, Moscow

T. Shilina

National Research University of Electronic Technology (MIET)

Email: OFH.MIET@yandex.ru
Россия, Zelenograd, Moscow

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).