Narrowband microwave microelectromechanical switch on gallium arsenide substrates for operation in a frequency band of 10–12 GHz

P. P. Mal’tsev; M. V. Maitama; A. Yu. Pavlov; N. V. Shchavruk

doi:10.1134/S1063739716070118

Narrowband microwave microelectromechanical switch on gallium arsenide substrates for operation in a frequency band of 10–12 GHz

Авторлар: Mal’tsev P.P.¹, Maitama M.V.¹, Pavlov A.Y.¹, Shchavruk N.V.¹
Мекемелер:
1. Institute of Microwave Semiconductor Electronics
Шығарылым: Том 45, № 7 (2016)
Беттер: 516-521
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/185983
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739716070118
ID: 185983

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Discrete electrostatic microwave microelectromechanical switches on gallium arsenide wafers are designed and fabricated. The possibility of integrating the switches in one circuit with monolithic integrated circuits of transreceiving devices fabricated in one production cycle is estimated.