Структурная эволюция наноразмерных сегнетоэлектрических слоев Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ в результате их циклической электрической стимуляции
- Авторы: Лев Л.Л.1, Конашук А.С.2, Хакимов Р.Р.1, Черникова А.Г.1, .Маркеев А.М.1, Лебедев А.М.3, Назин В.Г.3, Чумаков Р.Г.3, Зенкевич А.В.1
-
Учреждения:
- Московский физико-технический институт
- Санкт-Петербургский государственный университет
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Выпуск: № 4 (2025)
- Страницы: 3–10
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/326363
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096025040011
- EDN: https://elibrary.ru/FBOYZB
- ID: 326363
Цитировать
Аннотация
Несмотря на очень большое число уже опубликованных статей на тему сегнетоэлектрических слоев Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ (HZO), этот материал продолжает привлекать к себе повышенное внимание исследователей благодаря перспективам создания на его основе совместимых с современной кремниевой технологией конкурентоспособных устройств энергонезависимой памяти. Среди трудностей на пути создания промышленной технологии таких устройств — нестабильность остаточной поляризации сегнетоэлектрика в процессе многократных переключений внешним электрическим полем. В частности, на начальных этапах такого “циклирования”, как правило, наблюдается значительный рост остаточной поляризации (эффект “пробуждения”), а затем после достижения некоторого количества циклов — её снижение (эффект “усталости”). Вопрос о том, какие процессы приводят к такой нестабильности, остаётся дискуссионным. При использовании ранее разработанной методологии анализа фазового состава сверхтонких слоев HZO синхротронным методом NEXAFS показано, что в конденсаторах на основе структур TiN/HZO/TiN “пробуждение”, наблюдающееся в течение первых 10⁵ циклов переключений, объясняется увеличением относительного содержания полярной ромбической фазы в HZO за счёт уменьшения содержания “паразитной” тетрагональной фазы. Полученные результаты подтверждают стимулированный электрическим полем структурный фазовый переход в пленках как один из механизмов, объясняющих эволюцию функциональных свойств сегнетоэлектрических элементов памяти на основе HZO на протяжении их срока эксплуатации.
Об авторах
Л. Л. Лев
Московский физико-технический институт
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Долгопрудный, Московская область, 141701
А. С. Конашук
Санкт-Петербургский государственный университет
Email: lev.ll@mipt.ru
Санкт-Петербург, 199034
Р. Р. Хакимов
Московский физико-технический институт
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Долгопрудный, Московская область, 141701
А. Г. Черникова
Московский физико-технический институт
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Долгопрудный, Московская область, 141701
А. М. .Маркеев
Московский физико-технический институт
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Долгопрудный, Московская область, 141701
А. М. Лебедев
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Москва, 123182
В. Г. Назин
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Москва, 123182
Р. Г. Чумаков
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Москва, 123182
А. В. Зенкевич
Московский физико-технический институт
Автор, ответственный за переписку.
Email: lev.ll@mipt.ru
Россия, Долгопрудный, Московская область, 141701
Список литературы
- Robertson J. // Rep. Progress Phys. 2005. V. 69. P. 327. https://doi.org/10.1088/0034-4885/69/2/R02
- Kim S. K., Lee S. W., Han J. H., Lee B., Han S., Hwang C. S. // Adv. Funct. Mater. 2010. V. 20. P. 2989. https://doi.org/10.1002/adfm.201000599
- Böscke T. S., Müller J., Bräuhaus D., Schröder U., Böttger U. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. P. 102903. https://doi.org/10.1063/1.3634052
- Mueller S., Mueller J., Singh A., Riedel S., Sundqvist J., Schroeder U., Mikolajick T. // Adv. Funct. Mater. 2012. V. 22. P. 2412. https://doi.org/10.1002/adfm.201103119
- Chernikova A. G., Kuzmichev D. S., Negrov D. V., Kozodaev M. G., Polyakov S. N., Markeev A. M. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 242905. https://doi.org/10.1063/1.4953787
- Hoffmann M., Schroeder U., Schenk T., Shimizu T., Funakubo H., Sakata O., Pohl D., Drescher M., Adelmann C., Materlik R., Kersch A., Mikolajick T. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 072006. https://doi.org/10.1063/1.4927805
- Müller J., Schröder U., Böscke T. S., Müller I., Böttger U., Wilde L., Sundqvist J., Lemberger M., Kücher P., Mikolajick T., Frey L. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. P. 114113. https://doi.org/10.1063/1.3667205
- Schroeder U., Yurchuk E., Müller J., Martin D., Schenk T., Polakowski P., Adelmann C., Popovici M. I., Kalinin S. V., Mikolajick T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2014. V. 53. P. 08LE02. https://doi.org/10.7567/JJAP.53.08LE02
- Müller J., Böscke T. S., Schröder U., Mueller S., Bräuhaus D., Böttger U., Frey L., Mikolajick T. // Nano Lett. 2012. V. 12. P. 4318. https://doi.org/10.1021/nl302049k
- Hyuk Park M., Joon Kim H., Jin Kim Y., Lee W., Moon T., Seong Hwang C. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 242905. https://doi.org/10.1063/1.4811483
- Chernikova A., Kozodaev M., Markeev A., Negrov D., Spiridonov M., Zarubin S., Bak O., Buragohain P., Lu H., Suvorova E., Gruverman A., Zenkevich A. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. V. 11. P. 7232. https://doi.org/10.1021/acsami.5b11653
- Chouprik A., Zakharchenko S., Spiridonov M., Zarubin S., Chernikova A., Kirtaev R., Buragohain P., Gruverman A., Zenkevich A., Negrov D. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. V. 10. P. 8818. https://doi.org/10.1021/acsami.7b17482
- Zarubin S., Suvorova E., Spiridonov M., Negrov D., Chernikova A., Markeev A., Zenkevich A. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. P. 192903. https://doi.org/10.1063/1.4966219
- Hwang C. S. // Adv. Electron. Mater. 2015. V. 1. P. 1400056. https://doi.org/10.1002/aelm.201400056
- Kim S. K., Popovici M. // MRS Bull. 2018. V. 43. P. 334. https://doi.org/10.1557/mrs.2018.95
- Pešić M., Fengler F. P. G., Larcher L., Padovani A., Schenk T., Grimley E. D., Sang X., LeBeau J. M., Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T. // Adv. Funct. Mater. 2016. V. 26. P. 4601. https://doi.org/10.1002/adfm.201600590
- Hamouda W., Pancotti A., Lubin C., Tortech L., Richter C., Mikolajick T., Schroeder U., Barrett N. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. P. 064105. https://doi.org/10.1063/1.5128502
- Chouprik A., Negrov D., Tsymbal E., Zenkevich A. // Nanoscale. 2021. V. 13. P. 11635. https://doi.org/10.1039/D1NR01260F
- Koroleva A. A., Chernikova A. G., Zarubin S. S., Korostylev E. V., Khakimov R. R., Zhuk M. Yu., Markeev A. M. // ACS Omega. 2022. V. 7. № 50. P. 47084. https://doi.org/10.1021/acsomega.2c06237
- Colla E. L., Taylor D. V., Tagantsev A. K., Setter N. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 19. P. 2478. https://doi.org/10.1063/1.121386
- Stöhr J. NEXAFS Spectroscopy. Vol. 25. Springer Berlin Heidelberg, 1992.
- Filatova E. O., Sokolov A. A. // J. Synchrotron Radiat. 2018. V. 25. P. 232. https://doi.org/10.1107/S1600577517016253
- Filatova E. O., Sokolov A. A., Kozhevnikov I. V., Taracheva E. Y., Grunsky O. S., Schaefers F., Braun W. // J. Phys. Condens. Matter. 2009. V. 21. P. 185012. https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/18/185012
- Dmitriyeva A. V., Zarubin S. S., Konashuk A. S., Kasatikov S. A., Popov V. V., Zenkevich A. V. // J. Appl. Phys. 2023. V. 133. P. 054103. https://doi.org/10.1063/5.0131893
- Cheema S. S., Kwon D., Shanker N., dos Reis R., Hsu S.-L., Xiao J., Zhang H., Wagner R., Datar A., McCarter M. R., Serrao C. R., Yadav A. K., Karbasian G., Hsu C.-H., Tan A. J., Wang L.-C., Thakare V., Zhang X., Mehta A., Karapetrova E., Chopdekar R. V., Shafer P., Arenholz E., Hu C., Proksch R., Ramesh R., Ciston J., Salahuddin S. // Nature. 2020. V. 580. P. 478. https://doi.org/10.1038/s41586-020-2208-x
- Kozodaev M. G., Chernikova A. G., Korostylev E. V., Park M. H., Khakimov R. R., Hwang C. S., Markeev A. M. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. P. 034101. https://doi.org/10.1063/1.5050700
- Lebedev A. M., Menshikov K. A., Nazin V. G., Stankevich V. G., Tsetlin M. B., Chumakov R. G. // J. Surf. Invest.: X-Ray Synchrotron Neutron Tech. 2021. V. 15. P. 1039. https://doi.org/10.1134/S1027451021050335
- Henke B. L., Gullikson E. M., Davis J. C. // Atomic Data and Nuclear Data Tables. 1993. V. 54. № 2. P. 181. https://doi.org/10.1006/adnd.1993.1013
- Vasić R., Consiglio S., Clark R. D., Tapily K., Sallis S., Chen B., Newby Jr. D., Medikonda M., Muthinti G. R., Bersch E., Jordan-Sweet J., Lavoie C., Leusink G. J., Diebold A. C. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 234101. https://doi.org/10.1063/1.4811446
- Jain A., Ong S. P., Hautier G., Chen W., Davidson Richards W., Dacek S., Cholia S., Gunter D., Skinner D., Ceder G., Persson K. A. // APL Mater. 2013. V. 1. P. 011002. https://doi.org/10.1063/1.4812323
- Cho D.-Y., Jung H.-S., Hwang C. S. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 094104. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.094104
- Martin D., Müller J., Schenk T., Arruda T. M., Kumar A., Strelcov E., Yurchuk E., Müller S., Pohl D., Schröder U., Kalinin S. V., Mikolajick T. // Adv. Mater. 2014. V. 26. P. 8198. https://doi.org/10.1002/adma.201403115
- Lederer M., Abdulazhanov S., Olivo R., Lehninger D., Kämpfe T., Seidel K., Eng L. M. // Sci. Rep. 2021. V. 11. P. 22266. https://doi.org/10.1038/s41598-021-01724-2
- Lomenzo P. D., Takmeel Q., Zhou C., Fancher C. M., Lambers E., Rudawski N. G., Jones J. L., Moghaddam S., Nishida T. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 134105. https://doi.org/10.1063/1.4916715
- Kim H. J., Park M. H., Kim Y. J., Lee Y. H., Moon T., Kim K. D., Hyun S. D., Hwang C. S. // Nanoscale. 2016. V. 8. P. 1383. https://doi.org/10.1039/C5NR05339K
- Grimley E. D., Schenk T., Sang X., Pešić M., Schroeder U., Mikolajick T., LeBeau J. M. // Adv. Electron. Mater. 2016. V. 2. P. 1600173. https://doi.org/10.1002/aelm.201600173
- Pešić M., Fengler F. P. G., Larcher L., Padovani A., Schenk T., Grimley E. D., Sang X., LeBeau J. M., Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T. // Adv. Funct. Mater. 2016. V. 26. P. 4601. https://doi.org/10.1002/adfm.201600590
- Chouprik A., Zakharchenko S., Spiridonov M., Zarubin S., Chernikova A., Kirtaev R., Buragohain P., Gruverman A., Zenkevich A., Negrov D. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. V. 10. P. 8818. https://doi.org/10.1021/acsami.7b17482
Дополнительные файлы
