Analysis of the oscillation intensity of RHEED specular reflection during the MBE growth of CaF2/Si/CaF2 structures


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The results of analysis of the oscillation intensity of RHEED specular reflection during the MBE growth of CaF2/Si(111) structures in a wide temperature range from 100 to 600°С are presented. It is shown that the preliminary formation of a 2D Si buffer layer provides the two-dimensional growth of CaF2 layers. Possible reasons which for the disruption of 2D growth at high substrate temperatures are discussed.

Авторлар туралы

A. Velichko

Novosibirsk State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vel6049@mail.ru
Ресей, Novosibirsk, 630073

V. Ilyushin

Novosibirsk State Technical University

Email: vel6049@mail.ru
Ресей, Novosibirsk, 630073

A. Krupin

Novosibirsk State Technical University

Email: vel6049@mail.ru
Ресей, Novosibirsk, 630073

V. Gavrilenko

Novosibirsk State Technical University

Email: vel6049@mail.ru
Ресей, Novosibirsk, 630073

N. Filimonova

Novosibirsk State Technical University

Email: vel6049@mail.ru
Ресей, Novosibirsk, 630073

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016