Synergetics of catastrophic failures of semiconductor devices under high-energy ion irradiation

B. L. Oksengendler; F. G. Dzhurabekova; S. E. Maksimov; N. Yu. Turaev

doi:10.1134/S1027451016020324

Synergetics of catastrophic failures of semiconductor devices under high-energy ion irradiation

Авторы: Oksengendler B.L.¹, Dzhurabekova F.G.², Maksimov S.E.¹, Turaev N.Y.¹
Учреждения:
1. Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies
2. Helsinki Institute of Physics and Department of Physics
Выпуск: Том 10, № 2 (2016)
Страницы: 393-397
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1027-4510/article/view/188504
DOI: https://doi.org/10.1134/S1027451016020324
ID: 188504

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

A synergetic theory of the radiation damage of semiconductor equipment is presented. The general approach is applied to explain the failure of the space vehicle “Fobos-Grunt.”