Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Wear resistance of the surface layers of hard alloys with a multilevel structural phase state
Solonenko O., Ulianitsky V., Byeli A., Bao H., Zhang H., Ovcharenko V., Ivanov Y., Mohovikov A., Ivanov K.
Model conductivity calculations for a system of quantum dots
Aleksandrov V., Sabirov A., Filippov G.
Atomic Structure Probing of Thin Metal Films via Vacuum Holographic Microscopy
Egorov N., Antonova L., Trofimov V., Gileva A.
Electron Spectroscopy of Thin Nanocarbon Films
Nishchak O., Savchenko N., Streletsky O., Khvostov V., Zykova E.
Comparison between the Results of Simulating the Synchrotron Radiation from a Bending Magnet and Experimental Data
Harisova A., Shkitov D., Novokshonov A., Sutygina Y.
Structure and Surface Morphology of Cd1–xMnxSe Epitaxial Films
Nuriyev I., Mehrabova M., Hasanov N.
Analysis of the Three-Dimensional Model of Diffusion of Minority Charge Carriers Generated by an Electron Probe in a Heterogeneous Semiconductor Material by Means of Projection Methods
Seregina E., Stepovich M., Makarenkov A.
Investigation of the Structure and Functional Properties of Diamond-Like Coatings Obtained by Physical Vapor Deposition
Vysotina E., Kazakov V., Polyansky M., Savushkina S., Sivtsov K., Sigalaev S., Lyakhovetsky M., Mironova S., Zilova O.
On the possibility of using the Galerkin projection method to model the spatial distribution of minority charge carriers generated by an electron probe in a semiconductor
Seregina E., Stepovich M., Makarenkov A., Filippov M.
Study of hafnium-oxide coatings by means of nuclear backscattering spectrometry
Borisov A., Polyanskiy M., Savushkina S., Laptev I., Dankova T., Tkachenko N., Vostrikov V., Kamenskih A.
Development and study of a conceptual model of an X-ray source with a field emission cathode
Djuzhev N., Makhiboroda M., Preobrazhensky R., Demin G., Gusev E., Dedkova A.
Features of the surface morphology of CaF2/Si(100) films obtained by solid-phase epitaxy
Ilyushin V., Velichko A., Krupin A., Gavrilenko V., Savinov A., Katzuba A.
Differential inverse inelastic mean free path determination on the base of X-ray photoelectron emission spectra
Afanas’ev V., Gryazev A., Efremenko D., Kaplya P., Lyapunov N.
Determining the potential based on Rutherford backscattering data and electron screening in nuclear fusion reactions
Zinoviev A., Meluzova D.
Electron-Microscopy Studies of Microstructural Features of the Pore Space in Polymictic Sandstones
Kuzmin V., Skibitskaya N.
Determination of the Thickness of Thin Films Based on Scanning Electron Microscopy and Energy Dispersive X-Ray Analysis
Sokolov S., Milovanov R., Sidorov L.
Modeling of the Influence of the Thickness of an Insulating Film on a Cathode Surface on its Effective Secondary-Electron Emission Yield in Low-Current Gas Discharge
Kristya V., Ha M., Fisher M.
Modification of Zinc-Implanted Silicon by Swift Xenon Ion Irradiation
Privezentsev V., Skuratov V., Kulikauskas V., Makunin A., Ksenich S., Steinman E., Tereshchenko A., Goryachev A.
Influence of High Energy Impact on the Structural-Phase State and Tribological Properties of the Surface Layer of Metal-Ceramic Composite Materials
Ivanov K., Ivanov Y., Mohovikov A., Ovcharenko V.
Depth Distribution of Residual Fluorine in a Polyvinylidene Fluoride Film under Electron Bombardment
Zhivulin V., Pesin L., Zherebtsov D., Sidelnikova A.
Nitriding of Stainless Steel in Electron-Beam Plasma in the Pulsed and DC Generation Modes
Gavrilov N., Mamaev A., Chukin A.
Short-Range order of TlIn1–xSnxTe2 thin films
Alekperov E.
Space‒time inhomogeneity of the electron flow in pyroelectric X-ray sources
Andrianov V., Bush A., Erzinkyan A., Kamentsev K.
Using electron backscatter diffraction to investigate the influence of mechanical polishing on the state of the surface of diamond
Korostylev E., Bormashov V., Tarelkin S., Doronin M.
Fabrication of nitrogen-containing coatings in reed switches by pulsed ion-plasma treatment
Zeltser I., Gurov V., Rybin N., Tolstogouzov A., Fu D., Kumar P.
101 - 125 из 143 результатов << < 1 2 3 4 5 6 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».