Отправить статью по E-mail 
Особенности формирования сбоев в сбис при воздействии импульсного ионизирующего излучения
- Авторы: Чумаков А.И.1
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ” – АО “ЭНПО СПЭЛС”, Москва, Россия
- Выпуск: Том 54, № 3 (2025)
- Страницы: 232-240
- Раздел: МОДЕЛИРОВАНИЕ
- URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/304935
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126925030059
- EDN: https://elibrary.ru/pxiutu
- ID: 304935
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Проведен анализ возникновения сбоев в сверхбольших интегральных схемах (СБИС) при воздействии импульсного ионизирующего излучения различной природы. Воздействие гамма- или электронных импульсов приводит к сбоям из-за объемной ионизации полупроводниковых структур, которые в СБИС проявляются, в первую очередь, за счет эффектов просадки питания. Проанализированы особенности возникновения сбоев за счет нестационарного тиристорного эффекта и в случае нескольких возможных конкурирующих процессов. Нестационарные поверхностные радиационные эффекты и эффекты быстрого отжига радиационных дефектов могут приводить, в основном, к кратковременным параметрическим отказам, которые в значительной степени зависят от интенсивности излучения. Рассмотрены особенности формирования одиночных сбоев при воздействии импульсных пучков нейтронов, протонов или ионов.
Ключевые слова
Об авторах
А. И. Чумаков
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ” – АО “ЭНПО СПЭЛС”, Москва, Россия
Автор, ответственный за переписку.
Email: aichum@spels.ru
Список литературы
- Larin F. Radiation Effects in Semiconductor Devices. N.Y.: John Wiley and Sons. 1968. 287 p.
- Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат. 1989. 256 с.
- Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ed. Ma T.-P., Dressendorfer P. V. New York: John Wiley & Sons, 1989. 608 p.
- Чумаков А.И. Радиационные эффекты в интегральных схемах. М.: Техносфера. 2024. 384 с.
- Massengil T.L., Diehl S.E. Transient Radiation Upset Simulation of CMOS Memory Circuits//IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. 31. N6. P.1337–1343.
- Чумаков А.И. Моделирование эффекта «просадки» питания в ИС при воздействии импульса ионизирующего излучения //Микроэлектроника. 2006. Т.35. №3. С.184–190.
- Чумаков А.И. и др. Механизмы возникновения нестабильных тиристорных эффектов в КМОП ИС // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 295–299.
- Согоян А.В. и др. Исследование влияния амплитудно-временных характеристик импульсного воздействия на уровни отказов современных СБИС // Науч.-тех. сб. “Стойкость 2022”. 2022, с. 155–158.
- Чумаков А.И., Гонтарь В.В. Прогнозирование уровней отказов и сбоев ИС при воздействии ионизирующего излучения с произвольной формой импульса// Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С. 134–141.
- Shvetsov-Shilovskiy I.I., et. al. Nonstable latchups in CMOS ICs under pulsed laser irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2020. V. 67. N. 7. P. 1540–1546.
- Wrobel T.F., Evans D.C. Rapid annealing in advanced bipolar microcircuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. V. 29. № 6. P. 1721–1726.
- Сливин А.Ф. и др. Сооружение станций для прикладных исследований на ускорительном комплексе NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2022. Т. 19. № 5. С. 421–425.
- Филатов Г.А. и др. Каналы и станции для прикладных исследований ускорительного комплекса NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2023. Т. 20. № 4. С. 812–818.
- Чумаков А.И., Бобровский Д.В., Соловьев С.А. Влияние импульсного характера излучения на параметры чувствительности интегральных схем к одиночным радиационным эффектам // Безопасность информационных технологий. 2024. Т. 31, № 4. С. 141–152.
- Бобровский Д.В. и др. Особенности проявления одиночных радиационных эффектов в ИС при воздействии импульсных пучков ионов // ВАНТ. Серия «Физика радиационного воздействия на РЭА». 2024. № 3, с. 11–15.
- Чумаков А.И. и др. Моделирование сбоев в ИС при импульсном нейтронном воздействии. Часть 3. Область средних интенсивностей // ВАНТ. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА». 2023. № 1. С. 10–15.
Дополнительные файлы
