Effect of crystallographic orientation on the phase transition of a finite TiNi shape memory alloy wafer.

A. I. Pavlov; Павлов А. И.; A. I. Kartsev; Карцев А. И.; V. V. Koledov; Коледов В. В.; P. V. Lega; Лега П. В.

doi:10.31857/S0033849423100133

Влияние кристаллографической ориентации на фазовый переход конечной пластины из сплава с эффектом памяти формы TiNi

Авторы: Павлов А.И.¹, Карцев А.И.²^,3, Коледов В.В.⁴, Лега П.В.²^,4
Учреждения:
1. Московский государственный университет им. Н.Э. Баумана
2. Российский университет дружбы народов
3. Вычислительный центр ДВО РАН
4. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Выпуск: Том 68, № 10 (2023)
Страницы: 1035-1039
Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/232592
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423100133
EDN: https://elibrary.ru/DOCWBT
ID: 232592

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Проведено моделирование пластины из сплава с памятью формы TiNi при различных кристаллографических ориентациях с помощью свободного пакета для классической молекулярной динамики LAMMPS. Выяснено, что кристаллографическая ориентация пластины оказывает существенное влияние на температуру фазового перехода. Построена зависимость поверхностной энергии от температуры при кристаллографических ориентациях (100), (110), (112), (122). Исследована устойчивость используемой модели, в результате чего подтверждена ее применимость в данных расчетах.

Ключевые слова

shape memory, classical molecular dynamics, phase transition temperature

Список литературы

Трусов С.Н., Чернявские А.Г. // ЖТФ. 1996. Т. 66. № 11. С. 153.
Лохов В.А., Кучумов А.Г. // Рос. журн. биомеханики. 2006. № 3. С. 41.
Aviram A., Ratner M.A. // Chem. Phys. Lett. 1974. V. 29. № 2. P. 277.
Chernozatonskii L.A., Kosakovskaja Z.J., Fedorov E.A., Panov V.I. // Phys. Lett. A. 1995. V. 197. № 1. P. 40.
Антропов А.П., Зайцев Н.К., Рябков Е.Д. и др. // Тонкие химические технологин. 2021. Т. 16. № 2. С. 105.
Franklin A.D., Luisier M., Han S.J. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. № 2. P. 758.
Hills G., Lau C., Wright A. et al. // Nature. 2019. V. 572. № 7771. P. 595.
Zhang Y.L., Li J., To S. et al. // Nanotechnology. 2012. V. 23. P. 1063.
Budhia H., Kreith F. // Int. J. Heat Mass Transf. 1973. V. 16. № 1. P. 195.
Chang J., Sakai T., Saka H. // Philos. Magazine Lett. 2005. V. 85. № 5. P. 247.
Ko W.S., Grabowski B., Neugebauer J. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. № 13. Article No. 134107.
Kartsev A.I., Lega P.V., Orlov A.P. et al. // Nanomaterials. 2022. V. 12. P. 1107.
Nosé S. // J. Chem. Phys. 1984. V. 81. № 1. P. 511.
Hoover W.G. // Phys. Rev. A. 1985. V. 31. № 3. P. 1695.