X-ray emission spectroscopy and theoretical study of the electronic structure of hexamethyldisiloxane and octamethylcyclotetrasiloxane


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Electronic structure of hexamethyldisiloxane and octamethylcyclotetrasiloxane has been studied by means of X-ray emission spectroscopy and quantum-chemical simulation at the density functional theory level. From the analysis of the fine structure of X-ray emission SiKβ1-spectra and simulated densities of electronic states, the special features of chemical interactions of Si, O, and C atoms in these molecules are determined.

Авторлар туралы

T. Danilenko

Research Institute of Physics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090

M. Tatevosyan

Research Institute of Physics

Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090

V. Vlasenko

Research Institute of Physics

Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>